50.8mm 2 coloj GaN sur safiro Epi-tavola oblato
Apliko de galiumnitruro GaN epitaksa tuko
Surbaze de la agado de galiumnitruro, galiumnitruro epitaxial blatoj estas ĉefe taŭgaj por alta potenco, alta ofteco, kaj malalta tensio aplikoj.
Ĝi estas reflektita en:
1) Alta bandgap: Alta bandgap plibonigas la tensionivelon de galiumnitruraj aparatoj kaj povas eligi pli altan potencon ol galiumarsenidaj aparatoj, kiu estas speciale taŭga por 5G-komunikaj bazstacioj, armea radaro kaj aliaj kampoj;
2) Alta konverta efikeco: la sur-rezisto de elektronikaj aparatoj de ŝaltado de galio nitruro estas 3 ordoj de grandeco pli malalta ol tiu de siliciaj aparatoj, kiuj povas signife redukti la perdon de ŝaltita;
3) Alta termika kondukteco: la alta termika kondukteco de galiumnitruro faras ĝin havi bonegan varmo-disigan agadon, taŭgan por la produktado de alta potenco, alta temperaturo kaj aliaj kampoj de aparatoj;
4) Forto de elektra kampo de rompo: Kvankam la forto de elektra kampo de rompo de nitruro de galio estas proksima al tiu de nitruro de silicio, pro duonkondukta procezo, miskongruo de materialo krado kaj aliaj faktoroj, la tensio-toleremo de aparatoj de nitruro de galio estas kutime ĉirkaŭ 1000V, kaj la sekura uza tensio estas kutime sub 650V.
| Ero | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Dimensioj | kaj 50.8mm ± 0.1mm | ||
| Dikeco | 4,5±0,5 um | 4.5±0.5um | |
| Orientiĝo | C-ebeno (0001) ± 0,5° | ||
| Kondukta Tipo | N-speco (Nedopita) | N-speco (Si-dopita) | P-speco (Mg-dopita) |
| Rezistemo (3O0K) | < 0,5 Q・cm | < 0,05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| Koncentriĝo de portanta | < 5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 | > 6x1016 cm-3 |
| Movebleco | ~ 300 cm2/Vs | ~ 200 cm2/Vs | ~ 10 cm2/Vs |
| Dislokiĝo Denso | Malpli ol 5x108cm-2(kalkulita de FWHMs de XRD) | ||
| Substrata strukturo | GaN sur Safiro (Normo: SSP-Opcio: DSP) | ||
| Uzebla Surfaco | > 90% | ||
| Pako | Pakita en purĉambra medio de klaso 100, en kasedoj de 25 pecoj aŭ unuoblaj ujoj, sub nitrogena atmosfero. | ||
* Alia dikeco povas esti personecigita
Detala Diagramo
