4 coloj Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm

Mallonga priskribo:

Safiro estas materialo de unika kombinaĵo de fizikaj, kemiaj kaj optikaj propraĵoj, kiuj faras ĝin imuna al alta temperaturo, termika ŝoko, akva kaj sabloerozio, kaj gratado.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Aplikoj

● Kreska substrato por III-V kaj II-VI-komponaĵoj.
● Elektroniko kaj optoelektroniko.
● IR-aplikoj.
● Silicio Sur Safiro Integra Cirkvito (SOS).
● Radiofrekvenca Integra Cirkvito (RFC).
En LED-produktado, safiroblatoj estas utiligitaj kiel substrato por la kresko de galiumnitruro (GaN) kristaloj, kiuj elsendas lumon kiam elektra kurento estas aplikata.Safiro estas ideala substratmaterialo por GaN-kresko ĉar ĝi havas similan kristalstrukturon kaj termikan vastiĝkoeficienton al GaN, kiu minimumigas difektojn kaj plibonigas kristalan kvaliton.

En optiko, safiraj oblatoj estas uzataj kiel fenestroj kaj lensoj en altpremaj kaj alt-temperaturaj medioj, same kiel en infraruĝaj bildigaj sistemoj, pro sia alta travidebleco kaj malmoleco.

Specifo

Ero	4-cola C-aviadilo (0001) 650μm Safiro-Oblatoj
Kristalaj Materialoj	99,999%, Alta Pureco, Monokristala Al2O3
Grado	Prime, Epi-Preta
Surfaca Orientiĝo	C-aviadilo (0001)
	C-ebeno ekster-angulo al M-akso 0,2 +/- 0,1°
Diametro	100,0 mm +/- 0,1 mm
Dikeco	650 μm +/- 25 μm
Primara Ebena Orientiĝo	A-ebeno (11-20) +/- 0,2°
Primara Ebena Longo	30,0 mm +/- 1,0 mm
Ununura Flanko Polurita	Antaŭa Surfaco	Epipolurita, Ra < 0.2 nm (de AFM)
(SSP)	Malantaŭa Surfaco	Bela grundo, Ra = 0,8 μm ĝis 1,2 μm
Duobla Flanko Polurita	Antaŭa Surfaco	Epipolurita, Ra < 0.2 nm (de AFM)
(DSP)	Malantaŭa Surfaco	Epipolurita, Ra < 0.2 nm (de AFM)
TTV	< 20 μm
ĈAŬKO	< 20 μm
WARP	< 20 μm
Purigado / Pakado	Klaso 100 purĉambra purigado kaj vakua pakado,
	25 pecoj en unu kaseda pakado aŭ unupeca pakado.

Pakado & Sendado

Ĝenerale, ni provizas la pakaĵon per 25pcs-kaseda skatolo;ni ankaŭ povas paki per unuobla ujo sub 100-grada purigadĉambro laŭ la postulo de la kliento.