150mm 200mm 6 coloj 8 coloj GaN sur Silicia Epi-tavola oblato Galio nitruro epitaksa oblato

Mallonga priskribo:

La 6-cola GaN Epi-tavola oblato estas altkvalita semikondukta materialo konsistanta el tavoloj de galiumnitruro (GaN) kreskigita sur silicia substrato.La materialo havas bonegajn elektronikajn transportajn proprietojn kaj estas ideala por fabrikado de alt-potencaj kaj altfrekvencaj duonkonduktaĵoj.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Metodo de fabrikado

La produktadprocezo implikas kreskigi GaN-tavolojn sur safira substrato uzante progresintajn teknikojn kiel ekzemple metal-organika kemia vapordemetado (MOCVD) aŭ molekula trabo epitaksio (MBE).La deponprocezo estas efektivigita sub kontrolitaj kondiĉoj por certigi altan kristalan kvaliton kaj unuforman filmon.

Aplikoj de 6 coloj GaN-On-Sapphire: 6-colaj safiraj substrataj blatoj estas vaste uzataj en mikroondaj komunikadoj, radarsistemoj, sendrata teknologio kaj optoelektroniko.

Iuj komunaj aplikoj inkluzivas

1. Rf-potenca amplifilo

2. LED-lumigado industrio

3. Sendrata reto komunika ekipaĵo

4. Elektronikaj aparatoj en alta temperatura medio

5. Optoelektronikaj aparatoj

Specifoj de produkto

- Grandeco: La diametro de la substrato estas 6 coloj (ĉirkaŭ 150 mm).

- Surfaca kvalito: La surfaco estis fajne polurita por provizi bonegan spegulan kvaliton.

- Dikeco: La dikeco de GaN-tavolo povas esti personecigita laŭ specifaj postuloj.

- Pakado: La substrato estas zorge pakita per kontraŭstatikaj materialoj por malhelpi damaĝon dum transportado.

- Poziciaj randoj: La substrato havas specifajn poziciajn randojn, kiuj faciligas vicigon kaj operacion dum aparato-preparado.

- Aliaj parametroj: Specifaj parametroj kiel maldikeco, resistiveco kaj dopa koncentriĝo povas esti ĝustigitaj laŭ klientpostuloj.

Kun siaj superaj materialaj propraĵoj kaj diversaj aplikoj, 6-colaj safiraj substratoblatoj estas fidinda elekto por la disvolviĝo de alt-efikecaj duonkonduktaĵoj en diversaj industrioj.

Substrato	6” 1mm <111> p-tipa Si	6” 1mm <111> p-tipa Si
Epi ThickAvg	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Pafarko	+/-45um	+/-45um
Krakado	<5 mm	<5 mm
Vertikala BV	>1000V	> 1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT DikaAvg	20-30nm	20-30nm
Insitu SiN Cap	5-60nm	5-60nm
2DEG konc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Movebleco	~2000 cm²/Vs (<2%)	~2000 cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/kv (<2%)	<330ohm/kv (<2%)