SiO2 Maldika Filmo Termika Oksido Silicia oblato 4 coloj 6 coloj 8 coloj 12 coloj

La ĉefa procezo de fabrikado de oksiditaj siliciaj oblatoj kutime inkluzivas la sekvajn paŝojn: monokristala silicia kresko, tranĉado en oblatoj, polurado, purigado kaj oksidado.

Kresko de monokristala silicio: Unue, monokristala silicio estas kreskigita ĉe altaj temperaturoj per metodoj kiel ekzemple la Czochralski-metodo aŭ la Float-zono-metodo.Ĉi tiu metodo ebligas la preparadon de siliciaj unukristaloj kun alta pureco kaj krada integreco.

Dicing: La kreskigita monokristalina silicio estas kutime en cilindra formo kaj devas esti tranĉita en maldikajn oblatojn por esti utiligita kiel oblatsubstrato.Tranĉado estas kutime farita per diamanta tranĉilo.

Polurado: La surfaco de la tranĉita oblato povas esti neegala kaj postulas kemi-mekanikan poluradon por akiri glatan surfacon.

Purigado: La polurita oblato estas purigita por forigi malpuraĵojn kaj polvon.

Oksigenado: Fine, la siliciaj oblatoj estas metitaj en alt-temperaturan fornon por oksigena traktado por formi protektan tavolon de silicia dioksido por plibonigi ĝiajn elektrajn ecojn kaj mekanikan forton, kaj ankaŭ por servi kiel izola tavolo en integraj cirkvitoj.

La ĉefuzoj de oksigenitaj silicioblatoj inkludas la fabrikadon de integraj cirkvitoj, la fabrikadon de sunĉeloj, kaj la fabrikadon de aliaj elektronikaj aparatoj.Silicioksidaj oblatoj estas vaste uzataj en la kampo de semikonduktaĵoj pro siaj bonegaj mekanikaj propraĵoj, dimensia kaj kemia stabileco, kapablo funkcii ĉe altaj temperaturoj kaj altaj premoj, kaj ankaŭ bonaj izolaj kaj optikaj propraĵoj.

Ĝiaj avantaĝoj inkluzivas kompletan kristalan strukturon, puran kemian komponadon, precizajn dimensiojn, bonajn mekanikajn ecojn, ktp. Ĉi tiuj trajtoj faras siliciooksidajn oblatojn precipe taŭgaj por la fabrikado de alt-efikecaj integraj cirkvitoj kaj aliaj mikroelektronikaj aparatoj.