SiC
-
12-cola SIC-substrato el siliciokarbido, ĉefa grado, diametro 300mm, granda grandeco 4H-N, taŭga por varmodisradiado de altpotencoj.
-
8-cola SiC-siliciokarbida oblato 4H-N tipo 0.5mm produktadgrada esplorgrada laŭmenda polurita substrato
-
HPSI SiC-plato diametro: 3 coloj dikeco: 350 µm ± 25 µm por Potenca Elektroniko
-
3-cola Alta pureca Duonizola (HPSI) SiC-oblateto 350um Imitaĵa grado Ĉefa grado
-
P-tipa SiC-substrato SiC-blato Dia2inch nova produkto
-
8-colaj 200mm Siliciokarbidaj SiC-Obletoj 4H-N tipo Produktadgrado 500um dikeco
-
2-cola 6H-N Silicia Karbida Substrato Sic-Obleo Duobla Polurita Konduktiva Unua Grado Mos-Grado
-
12-cola 4H-SiC-plato por AR-okulvitroj
-
HPSI SiC-Obleto ≥90% Transmitanca Optika Grado por AI/AR-Okulvitroj
-
Duonizola Silicia Karbido (SiC) Substrato Altpureca Por Ar-Okulvitroj
-
4H-SiC Epitaksiaj Obleoj por Ultra-Altaj Tensiaj MOSFEToj (100–500 μm, 6 coloj)
-
SICOI (Silicia Karbido sur Izolilo) Oblatetoj SiC-Filmo SUR Silicio