SiC
-
12-cola SIC-substrato el siliciokarbido, ĉefa grado, diametro 300mm, granda grandeco 4H-N, taŭga por varmodisradiado de altpotencoj.
-
8-cola SiC-siliciokarbida oblato 4H-N tipo 0.5mm produktadgrada esplorgrada laŭmenda polurita substrato
-
HPSI SiC-plato diametro: 3 coloj dikeco: 350 µm ± 25 µm por Potenca Elektroniko
-
3-cola Alta pureca Duonizola (HPSI) SiC-oblateto 350um Imitaĵa grado Ĉefa grado
-
P-tipa SiC-substrato SiC-blato Dia2inch nova produkto
-
8-colaj 200mm Siliciokarbidaj SiC-Obletoj 4H-N tipo Produktadgrado 500um dikeco
-
2-cola 6H-N Silicia Karbida Substrato Sic-Obleo Duobla Polurita Konduktiva Unua Grado Mos-Grado
-
SiC-Substrato SiC Epi-blava konduktiva/duonforma tipo 4 6 8 coloj
-
SiC Epitaksia Oblikveto por Potencaj Aparatoj - 4H-SiC, N-tipa, Malalta Difekta Denseco
-
4H-N Tipo SiC Epitaksia Oblato Alta Tensio Alta Frekvenco
-
3-colaj Alta Pureco (Sendopitaj) Siliciaj Karbidaj Obletoj Duon-Izolaj Siliciaj Substratoj (HPSl)
-
4H-N 8-cola SiC-substrata oblato el silicia karbido, imitaĵa esplorgrado, 500um dikeco