2 coloj 50.8mm Silicia Karburo SiC Oblatoj Dopitaj Si N-tipa Produktada Esploro kaj Dummy-grado

Mallonga priskribo:

Ŝanhaja Xinkehui Tech.Co.,Ltd ofertas la plej bonan elekton kaj prezojn por altkvalitaj siliciokarburaj oblatoj kaj substratoj ĝis ses coloj da diametroj kun N- kaj duon-izolaj tipoj.Malgrandaj kaj grandaj kompanioj pri duonkonduktaĵoj kaj esploraj laboratorioj tutmonde uzas kaj fidas je niaj silikonaj karburaj oblatoj.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Parametrikaj kriterioj por 2-colaj 4H-N nedopitaj SiC-oblatoj inkluzivas

Substrata materialo: 4H siliciokarbido (4H-SiC)

Kristala strukturo: kvarheksaedra (4H)

Dopado: Nedopita (4H-N)

Grandeco: 2 coloj

Konduktospeco: N-tipo (n-dopata)

Kondukto: Semikonduktaĵo

Merkata Perspektivo: 4H-N ne-dopataj SiC-oblatoj havas multajn avantaĝojn, kiel altan varmokonduktecon, malaltan konduktan perdon, bonegan alttemperaturan reziston kaj altan mekanikan stabilecon, kaj tiel havas larĝan merkatan perspektivon en potenca elektroniko kaj RF-aplikoj.Kun la disvolviĝo de renovigebla energio, elektraj veturiloj kaj komunikadoj, estas kreskanta postulo je aparatoj kun alta efikeco, alta temperaturoperacio kaj alta potenco-toleremo, kiu disponigas pli larĝan merkatan ŝancon por 4H-N ne-dopitaj SiC-oblatoj.

Uzoj: 2-colaj 4H-N ne-dopitaj SiC-oblatoj povas esti uzataj por fabriki diversajn potencajn elektronikojn kaj RF-aparatojn, inkluzive de sed ne limigitaj al:

1--4H-SiC MOSFET-oj: Transistoroj de kampefikaj transistoroj de metaloksidaj duonkonduktaĵoj por aplikaĵoj de alta potenco/alta temperaturo.Ĉi tiuj aparatoj havas malaltajn konduktajn kaj ŝanĝajn perdojn por provizi pli altan efikecon kaj fidindecon.

2--4H-SiC JFETs: Junkciaj FEToj por RF-potencamplifilo kaj ŝanĝaj aplikoj.Ĉi tiuj aparatoj ofertas altfrekvencon kaj altan termikan stabilecon.

3--4H-SiC Schottky Diodes: Diodoj por alta potenco, alta temperaturo, altfrekvencaj aplikoj.Ĉi tiuj aparatoj ofertas altan efikecon kun malaltaj konduktaj kaj ŝanĝantaj perdoj.

4--4H-SiC Optoelektronikaj Aparatoj: Aparatoj uzataj en areoj kiel alta potenco laseraj diodoj, UV-detektiloj kaj optoelektronikaj integraj cirkvitoj.Ĉi tiuj aparatoj havas altan potencon kaj frekvencajn trajtojn.

En resumo, 2-colaj 4H-N ne-dopitaj SiC-oblatoj havas la potencialon por larĝa gamo de aplikoj, precipe en potenca elektroniko kaj RF.Ilia supera rendimento kaj alt-temperatura stabileco igas ilin forta defianto por anstataŭigi tradiciajn siliciajn materialojn por alt-efikecaj, alt-temperaturaj kaj alt-potencaj aplikoj.