2 coloj 50.8mm Safiro-Oblato C-Ebeno M-ebeno R-ebeno A-ebeno Diko 350um 430um 500um

2 coloj 50.8mm Safiro-Oblato C-Ebeno M-ebeno R-ebeno A-ebeno Diko 350um 430um 500um Elstara bildo

Mallonga priskribo:

Safiro estas materialo de unika kombinaĵo de fizikaj, kemiaj kaj optikaj propraĵoj, kiuj faras ĝin imuna al alta temperaturo, termika ŝoko, akva kaj sabloerozio, kaj gratado.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Specifo de malsamaj orientiĝoj

Orientiĝo	C(0001)-Akso		R(1-102)-Akso		M(10-10) -Akso	A(11-20)-Akso
Fizika propraĵo	La C-akso havas kristalan lumon, kaj la aliaj aksoj havas negativan lumon.Ebeno C estas plata, prefere tranĉita.		R-aviadilo iom pli malmola ol A.		M-aviadilo estas tretita segildenta, ne facile tranĉebla, facile tranĉebla.	La malmoleco de A-ebeno estas signife pli alta ol tiu de C-aviadilo, kiu manifestiĝas en eluziĝo-rezisto, skrapa rezisto kaj alta malmoleco;Flanka A-ebeno estas zigzaga ebeno, kiu estas facile tranĉebla;
Aplikoj	C-orientitaj safiraj substratoj estas uzataj por kreskigi III-V kaj II-VI deponitajn filmojn, kiel galiumnitruro, kiuj povas produkti bluajn LED-produktojn, laserdiodojn kaj infraruĝajn detektilojn. Ĉi tio estas ĉefe ĉar la procezo de kresko de safira kristalo laŭ la C-akso estas matura, la kosto estas relative malalta, la fizikaj kaj kemiaj propraĵoj estas stabilaj, kaj la teknologio de epitaksio sur la C-ebeno estas matura kaj stabila.		R-orientita substratkresko de malsamaj deponitaj siliciaj ekstrasistaloj, uzitaj en mikroelektronikaj integraj cirkvitoj. Krome, altrapidaj integraj cirkvitoj kaj premaj sensiloj ankaŭ povas esti formitaj en la procezo de filmoproduktado de epitaksia silicio-kresko.R-tipa substrato ankaŭ povas esti uzata en la produktado de plumbo, aliaj superkonduktaj komponantoj, altaj rezistaj rezistiloj, galiumarsenido.		Ĝi estas ĉefe uzata por kreskigi nepolusajn/duonpolusajn GaN-epitaksiajn filmojn por plibonigi la luman efikecon.	A-orientita al la substrato produktas unuforman permitivecon/mezon, kaj alta grado da izolajzo estas uzita en hibrida mikroelektronika teknologio.Alttemperaturaj superkonduktaĵoj povas esti produktitaj de A-bazaj longformaj kristaloj.
Kapacito de procesado	Pattern Sapphire Substrate (PSS): En la formo de Kresko aŭ Akvaforto, nanoskalaj specifaj regulaj mikrostrukturaj ŝablonoj estas dizajnitaj kaj faritaj sur la safira substrato por kontroli la lumproduktan formon de la LED, kaj redukti la diferencigajn difektojn inter GaN kreskanta sur la safira substrato. , plibonigu la epitaksian kvaliton, kaj plibonigu la internan kvantuman efikecon de la LED kaj pliigu la efikecon de malpeza eltiro. Krome, safira prismo, spegulo, lenso, truo, konuso kaj aliaj strukturaj partoj povas esti personecigitaj laŭ klientpostuloj.
Deklaro pri posedaĵo	Denso	Malmoleco	fandpunkto	Refrakta indekso (videbla kaj infraruĝa)	Dissendado (DSP)	Dielektrika konstanto
Deklaro pri posedaĵo	3,98 g/cm3	9 (mohs)	2053℃	1.762~1.770	≥85%	11.58@300K ĉe C-akso (9.4 ĉe A-akso)

Detala Diagramo

avcasvb (1)

avcasvb (2)

avcasvb (3)

Antaŭa: 8 Coloj Litio Niobate Oblato LiNbO3 LN

Sekva: 2 coloj 50.8mm Diko 0.1mm 0.2mm 0.43mm Safiro Oblato C-aviadilo M-ebeno R-ebeno A-ebeno

Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni

Kategorioj de produktoj