Substrato
-
SiC-Substrato SiC Epi-blava konduktiva/duonforma tipo 4 6 8 coloj
-
SiC Epitaksia Oblikveto por Potencaj Aparatoj - 4H-SiC, N-tipa, Malalta Difekta Denseco
-
4H-N Tipo SiC Epitaksia Oblato Alta Tensio Alta Frekvenco
-
8-cola LNOI (LiNbO3 sur izolilo) oblato por optikaj modulatoroj, ondgvidiloj kaj integraj cirkvitoj
-
LNOI-Oblato (Litio-Niobato sur Izolilo) Telekomunikada Sensado Alta Elektro-Optika
-
3-colaj Alta Pureco (Sendopitaj) Siliciaj Karbidaj Obletoj Duon-Izolaj Siliciaj Substratoj (HPSl)
-
4H-N 8-cola SiC-substrata oblato el silicia karbido, imitaĵa esplorgrado, 500um dikeco
-
safira diametro unuopa kristalo, alta malmoleco morhs 9 gratvundrezista personigebla
-
Seka gravurado kun strukturita safira substrato PSS 2-cola 4-cola 6-cola ICP uzeblas por LED-blatoj
-
2 coloj 4 coloj 6 coloj Padronita Safira Substrato (PSS) sur kiu GaN-materialo estas kreskigita povas esti uzata por LED-lumigo
-
4H-N/6H-N SiC-Obleto Esplora produktado Imitaĵa grado Dia150mm Siliciokarbida substrato
-
Orumita oblato, safiroblato, silicia oblato, SiC-oblato, 2-cola 4-cola 6-cola, orumita dikeco 10nm 50nm 100nm