English

SiC-siliciokarburoblato SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI（Alta pureco Semi-Izola） 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 coloj havebla

SiC-silicio-karburoblato SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI（Alta pureco Semi-Izola） 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 coloj havebla Elstara bildo
  • SiC-siliciokarburoblato SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI（Alta pureco Semi-Izola） 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 coloj havebla
  • SiC-siliciokarburoblato SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI（Alta pureco Semi-Izola） 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 coloj havebla
  • SiC-siliciokarburoblato SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI（Alta pureco Semi-Izola） 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 coloj havebla
  • SiC-siliciokarburoblato SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI（Alta pureco Semi-Izola） 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 coloj havebla
  • SiC-siliciokarburoblato SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI（Alta pureco Semi-Izola） 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 coloj havebla
  • SiC-siliciokarburoblato SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI（Alta pureco Semi-Izola） 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 coloj havebla

Mallonga Priskribo:

Ni ofertas diversan elekton de altkvalitaj SiC (Silikon-karbido) oblatoj, kun speciala fokuso sur N-tipaj 4H-N kaj 6H-N-oblatoj, kiuj estas idealaj por aplikoj en progresinta optoelektroniko, potencaj aparatoj kaj alt-temperaturaj medioj. . Ĉi tiuj N-tipaj oblatoj estas konataj pro sia escepta varmokondukteco, elstara elektra stabileco kaj rimarkinda fortikeco, igante ilin perfektaj por alt-efikecaj aplikoj kiel elektra elektroniko, elektraj veturilaj sistemoj, renoviĝantaj energiaj invetiloj kaj industriaj elektroprovizoj. Krom niaj N-tipaj proponoj, ni ankaŭ provizas P-tipajn 4H/6H-P kaj 3C SiC-oblatojn por specialaj bezonoj, inkluzive de altfrekvencaj kaj RF-aparatoj, same kiel fotonikaj aplikoj. Niaj oblatoj haveblas en grandecoj de 2 coloj ĝis 8 coloj, kaj ni provizas tajloritajn solvojn por plenumi la specifajn postulojn de diversaj industriaj sektoroj. Por pliaj detaloj aŭ demandoj, bonvolu kontakti nin.


Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Propraĵoj

4H-N kaj 6H-N (N-specaj SiC-Oblatoj)

Apliko:Ĉefe uzata en potenca elektroniko, optoelektroniko kaj alt-temperaturaj aplikoj.

Diametra Gamo:50,8 mm ĝis 200 mm.

Dikeco:350 μm ± 25 μm, kun laŭvolaj dikaĵoj de 500 μm ± 25 μm.

Rezistemo:N-tipo 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-grado), ≤ 0,3 Ω·cm (P-grado); N-tipo 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-grado), ≤ 1 mΩ·cm (P-grado).

Malglateco:Ra ≤ 0.2 nm (CMP aŭ MP).

Mikropipa Denso (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm por ĉiuj diametroj.

Varpi: ≤ 30 μm (≤ 45 μm por 8-colaj oblatoj).

Rando-Ekskludo:3 mm ĝis 6 mm depende de la tipo de oblato.

Pakado:Multi-oblata kasedo aŭ unuobla ujo.

Alia disponebla grandeco 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj

HPSI (Alta Pureco Semi-Izola SiC-Oblatoj)

Apliko:Uzite por aparatoj postulantaj altan reziston kaj stabilan agadon, kiel ekzemple RF-aparatoj, fotonikaj aplikoj kaj sensiloj.

Diametra Gamo:50,8 mm ĝis 200 mm.

Dikeco:Norma dikeco de 350 μm ± 25 μm kun ebloj por pli dikaj oblatoj ĝis 500 μm.

Malglateco:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikropipa Denso (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Rezistemo:Alta rezisto, tipe uzata en duon-izolaj aplikoj.

Varpi: ≤ 30 μm (por pli malgrandaj grandecoj), ≤ 45 μm por pli grandaj diametroj.

TTV: ≤ 10 μm.

Alia disponebla grandeco 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj

4H-P、6H-P&3C SiC-oblato(P-specaj SiC-Oblatoj)

Apliko:Ĉefe por potencaj kaj altfrekvencaj aparatoj.

Diametra Gamo:50,8 mm ĝis 200 mm.

Dikeco:350 μm ± 25 μm aŭ personecigitaj opcioj.

Rezistemo:P-tipo 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-grado), ≤ 0,3 Ω·cm (P-grado).

Malglateco:Ra ≤ 0.2 nm (CMP aŭ MP).

Mikropipa Denso (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Rando-Ekskludo:3 mm ĝis 6 mm.

Varpi: ≤ 30 μm por pli malgrandaj grandecoj, ≤ 45 μm por pli grandaj grandecoj.

Alie disponebla grandeco 3 coloj 4 coloj 6 coloj5×5 10×10

Tabelo de Partaj Datumoj Parametroj

Proprieto

2 coloj

3 coloj

4 coloj

6 coloj

8 coloj

Tajpu

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diametro

50,8 ± 0,3 mm

76.2±0.3mm

100±0.3mm

150±0.3mm

200 ± 0,3 mm

Dikeco

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

aŭ personecigita

aŭ personecigita

aŭ personecigita

aŭ personecigita

aŭ personecigita

Rudeco

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Varpi

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Grati/Fosi

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Formo

Ronda, Plata 16mm; DE longo 22mm; DE Longo 30/32.5mm; DE Longo47.5mm; NOTCH; NOTCH;

Bevelo

45°, SEMI Spec; C Formo

 Grado

Produktadgrado por MOS&SBD; Esplora grado; Dummy grade , Seed wafer Grade

Rimarkoj

Diametro, Diko, Orientiĝo, specifoj supre povas esti personecigitaj laŭ via peto

 

Aplikoj

·Potenca Elektroniko

N-tipaj SiC-oblatoj estas decidaj en potencaj elektronikaj aparatoj pro sia kapablo pritrakti altan tension kaj altan kurenton. Ili estas ofte uzataj en potencaj transformiloj, invetiloj kaj motoroj por industrioj kiel renoviĝanta energio, elektraj veturiloj kaj industria aŭtomatigo.

· Optoelektroniko
N-tipaj SiC-materialoj, precipe por optoelektronikaj aplikoj, estas utiligitaj en aparatoj kiel ekzemple lumelsendantaj diodoj (LEDoj) kaj laserdiodoj. Ilia alta varmokondukteco kaj larĝa bandgap igas ilin idealaj por alt-efikecaj optoelektronikaj aparatoj.

·Alt-Temperaturaj Aplikoj
4H-N 6H-N SiC-oblatoj taŭgas por alt-temperaturaj medioj, kiel ekzemple en sensiloj kaj potencaj aparatoj uzataj en aerospacaj, aŭtomobilaj kaj industriaj aplikoj kie varmodissipado kaj stabileco ĉe altaj temperaturoj estas kritikaj.

·RF-aparatoj
4H-N 6H-N SiC-oblatoj estas uzitaj en radiofrekvencaj (RF) aparatoj kiuj funkcias en altfrekvencaj intervaloj. Ili estas aplikataj en komunikadsistemoj, radarteknologio, kaj satelitkomunikadoj, kie alta potenco-efikeco kaj efikeco estas postulataj.

·Fotonikaj Aplikoj
En fotoniko, SiC-oblatoj estas uzitaj por aparatoj kiel fotodetektiloj kaj modulatoroj. La unikaj trajtoj de la materialo permesas al ĝi esti efika en malpeza generacio, modulado kaj detekto en optikaj komunikadsistemoj kaj bildigaj aparatoj.

·Sensiloj
SiC-oblatoj estas uzitaj en gamo da sensilaplikoj, precipe en severaj medioj kie aliaj materialoj eble malsukcesos. Ĉi tiuj inkluzivas temperaturon, premon kaj kemiajn sensilojn, kiuj estas esencaj en kampoj kiel aŭtomobila, petrolo kaj gaso, kaj media monitorado.

·Elektraj Veturilaj Veturilaj Sistemoj
SiC-teknologio ludas signifan rolon en elektraj veturiloj plibonigante la efikecon kaj efikecon de la vetursistemoj. Kun SiC-potencaj duonkonduktaĵoj, elektraj veturiloj povas atingi pli bonan baterian vivon, pli rapidajn ŝarĝajn tempojn kaj pli grandan energian efikecon.

·Altnivelaj Sensiloj kaj Fotonikaj Konvertiloj
En progresintaj sensilteknologioj, SiC-oblatoj estas uzitaj por kreado de altprecizecaj sensiloj por aplikoj en robotiko, medicinaj aparatoj, kaj media monitorado. En fotonaj transformiloj, la trajtoj de SiC estas ekspluatitaj por ebligi efikan konvertiĝon de elektra energio al optikaj signaloj, kio estas decida en telekomunikado kaj altrapida interreta infrastrukturo.

Demandoj kaj respondoj

Q: Kio estas 4H en 4H SiC?
A："4H" en 4H SiC rilatas al la kristalstrukturo de siliciokarbido, specife sesangula formo kun kvar tavoloj (H). La "H" indikas la specon de sesangula politipo, distingante ĝin de aliaj SiC-plurtipoj kiel 6H aŭ 3C.

Q: Kio estas la varmokondukteco de 4H-SiC?
A: La termika kondukteco de 4H-SiC (Silicia Karbido) estas proksimume 490-500 W/m·K ĉe ĉambra temperaturo. Ĉi tiu alta varmokondukteco igas ĝin ideala por aplikoj en potenca elektroniko kaj alt-temperaturaj medioj, kie efika varmodissipado estas decida.

  • Antaŭa:
  • Sekva:
    • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni

    Kategorioj de produktoj

    Premu enigi por serĉi aŭ ESC por fermi