English

SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI 4H-duon 6H-duon 4H-P 6H-P 3C tipo 2 coloj 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj

SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-duon 4H-P 6H-P 3C tipo 2 coloj 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj Elstara bildo
  • SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI 4H-duon 6H-duon 4H-P 6H-P 3C tipo 2 coloj 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj
  • SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI 4H-duon 6H-duon 4H-P 6H-P 3C tipo 2 coloj 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj
  • SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI 4H-duon 6H-duon 4H-P 6H-P 3C tipo 2 coloj 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj
  • SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI 4H-duon 6H-duon 4H-P 6H-P 3C tipo 2 coloj 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj
  • SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI 4H-duon 6H-duon 4H-P 6H-P 3C tipo 2 coloj 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj
  • SiC-oblato 4H-N 6H-N HPSI 4H-duon 6H-duon 4H-P 6H-P 3C tipo 2 coloj 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj

Mallonga Priskribo:

Ni ofertas diversan elekton de altkvalitaj SiC (silicia karbido) obletoj, kun aparta fokuso sur N-tipaj 4H-N kaj 6H-N obletoj, kiuj estas idealaj por aplikoj en progresinta optoelektroniko, potencaj aparatoj kaj alttemperaturaj medioj. Ĉi tiuj N-tipaj obletoj estas konataj pro sia escepta varmokondukteco, elstara elektra stabileco kaj rimarkinda fortikeco, igante ilin perfektaj por alt-efikecaj aplikoj kiel potenca elektroniko, elektraj veturilaj transmisiiloj, renovigeblaj energiaj invetiloj kaj industriaj elektroprovizoj. Aldone al niaj N-tipaj proponoj, ni ankaŭ provizas P-tipajn 4H/6H-P kaj 3C SiC obletojn por specialigitaj bezonoj, inkluzive de altfrekvencaj kaj RF-aparatoj, same kiel fotonikaj aplikoj. Niaj obletoj estas haveblaj en grandecoj de 2 coloj ĝis 8 coloj, kaj ni provizas personecigitajn solvojn por plenumi la specifajn postulojn de diversaj industriaj sektoroj. Por pliaj detaloj aŭ demandoj, bonvolu kontakti nin.


Trajtoj

Nemoveblaĵoj

4H-N kaj 6H-N (N-tipaj SiC-obletoj)

Apliko:Ĉefe uzata en potencelektroniko, optoelektroniko, kaj alt-temperaturaj aplikoj.

Diametra Gamo:50,8 mm ĝis 200 mm.

Dikeco:350 μm ± 25 μm, kun laŭvolaj dikecoj de 500 μm ± 25 μm.

Rezistiveco:N-tipo 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-grado), ≤ 0,3 Ω·cm (P-grado); N-tipo 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-grado), ≤ 1 mΩ·cm (P-grado).

Malglateco:Ra ≤ 0,2 nm (CMP aŭ MP).

Denseco de Mikrotubo (MPD):< 1 po peco/cm².

TTV: ≤ 10 μm por ĉiuj diametroj.

Varpo: ≤ 30 μm (≤ 45 μm por 8-colaj oblatoj).

Randa Ekskludo:3 mm ĝis 6 mm depende de la tipo de oblato.

Pakado:Plur-blava kasedo aŭ unu-blava ujo.

Aliaj disponeblaj grandecoj 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj

HPSI (Altaj Puraj Duonizolaj SiC-Obletoj)

Apliko:Uzata por aparatoj postulantaj altan reziston kaj stabilan rendimenton, kiel ekzemple RF-aparatoj, fotonikaj aplikoj kaj sensiloj.

Diametra Gamo:50,8 mm ĝis 200 mm.

Dikeco:Norma dikeco de 350 μm ± 25 μm kun ebloj por pli dikaj oblatoj ĝis 500 μm.

Malglateco:Ra ≤ 0,2 nm.

Denseco de Mikrotubo (MPD): ≤ 1 po peco/cm².

Rezistiveco:Alta rezisto, tipe uzata en duonizolaj aplikoj.

Varpo: ≤ 30 μm (por pli malgrandaj grandecoj), ≤ 45 μm por pli grandaj diametroj.

TTV: ≤ 10 μm.

Aliaj disponeblaj grandecoj 3 coloj 4 coloj 6 coloj 8 coloj

4H-P、6H-P&3C SiC-oblateto(P-tipaj SiC-obletoj)

Apliko:Ĉefe por potencaj kaj altfrekvencaj aparatoj.

Diametra Gamo:50,8 mm ĝis 200 mm.

Dikeco:350 μm ± 25 μm aŭ laŭmendaj opcioj.

Rezistiveco:P-tipo 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-grado), ≤ 0,3 Ω·cm (P-grado).

Malglateco:Ra ≤ 0,2 nm (CMP aŭ MP).

Denseco de Mikrotubo (MPD):< 1 po peco/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Randa Ekskludo:3 mm ĝis 6 mm.

Varpo: ≤ 30 μm por pli malgrandaj grandecoj, ≤ 45 μm por pli grandaj grandecoj.

Aliaj disponeblaj grandecoj 3 coloj 4 coloj 6 coloj5×5 10×10

Tabelo de Partaj Datumparametroj

Posedaĵo

2 coloj

3 coloj

4 coloj

6 coloj

8 coloj

Tipo

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diametro

50,8 ± 0,3 mm

76,2 ± 0,3 mm

100±0.3mm

150±0.3mm

200 ± 0,3 mm

Dikeco

330 ± 25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350±25µm;

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

aŭ personigita

aŭ personigita

aŭ personigita

aŭ personigita

aŭ personigita

Malglateco

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Varpo

≤ 30µm

≤ 30µm

≤ 30µm

≤ 30µm

≤45um

TTV

≤ 10µm

≤ 10µm

≤ 10µm

≤ 10µm

≤ 10µm

Gratu/Fosu

CMP/MP

MPD

<1 peco/cm-2

<1 peco/cm-2

<1 peco/cm-2

<1 peco/cm-2

<1 peco/cm-2

Formo

Ronda, Plata 16mm; DE longo 22mm; DE Longo 30/32.5mm; DE Longo 47.5mm; NOĈO; NOĈO;

Bevelo

45°, DUON-Specifo; C-Formo

 Grado

Produktadgrado por MOS&SBD; Esplorgrado; Imitgrado, Semblato-grado

Rimarkoj

Diametro, Dikeco, Orientiĝo, specifoj supre povas esti personecigitaj laŭ via peto

 

Aplikoj

·Potenca Elektroniko

N-tipaj SiC-plafonoj estas esencaj en potencelektronikaj aparatoj pro sia kapablo pritrakti altan tension kaj altan kurenton. Ili estas ofte uzataj en potencokonvertiloj, invetiloj kaj motortransmisiiloj por industrioj kiel renovigebla energio, elektraj veturiloj kaj industria aŭtomatigo.

· Optoelektroniko
N-tipa SiC-materialoj, precipe por optoelektronikaj aplikoj, estas uzataj en aparatoj kiel lum-elsendantaj diodoj (LED-oj) kaj laserdiodoj. Ilia alta varmokondukteco kaj larĝa bendbreĉo igas ilin idealaj por alt-efikecaj optoelektronikaj aparatoj.

·Alt-Temperaturaj Aplikoj
4H-N 6H-N SiC-oblatoj bone taŭgas por alt-temperaturaj medioj, kiel ekzemple en sensiloj kaj potencaj aparatoj uzataj en aerspaca, aŭtomobila kaj industria aplikoj, kie varmodisradiado kaj stabileco ĉe levitaj temperaturoj estas kritikaj.

·RF-Aparatoj
4H-N 6H-N SiC-platetoj estas uzataj en radiofrekvencaj (RF) aparatoj, kiuj funkcias en altfrekvencaj gamoj. Ili estas aplikataj en komunikaj sistemoj, radara teknologio kaj satelitaj komunikadoj, kie alta energia efikeco kaj rendimento estas necesaj.

·Fotonikaj Aplikoj
En fotoniko, SiC-platetoj estas uzataj por aparatoj kiel fotodetektiloj kaj modulatoroj. La unikaj ecoj de la materialo permesas al ĝi esti efika en lumgenerado, modulado kaj detekto en optikaj komunikaj sistemoj kaj bildigaj aparatoj.

·Sensiloj
SiC-platetoj estas uzataj en diversaj sensoraj aplikoj, precipe en severaj medioj kie aliaj materialoj povus difektiĝi. Ĉi tiuj inkluzivas temperaturon, premon kaj kemiajn sensilojn, kiuj estas esencaj en kampoj kiel aŭtomobila, nafto kaj gaso, kaj media monitorado.

·Elektraj Veturilaj Veturilaj Sistemoj
SiC-teknologio ludas signifan rolon en elektraj veturiloj plibonigante la efikecon kaj funkciadon de la transmisiaj sistemoj. Kun SiC-potencaj semikonduktaĵoj, elektraj veturiloj povas atingi pli bonan baterivivon, pli rapidajn ŝargtempojn kaj pli grandan energiefikecon.

·Altnivelaj Sensiloj kaj Fotonaj Konvertiloj
En progresintaj sensorteknologioj, SiC-platetoj estas uzataj por krei altprecizajn sensilojn por aplikoj en robotiko, medicinaj aparatoj kaj media monitorado. En fotonaj konvertiloj, la ecoj de SiC estas ekspluatataj por ebligi efikan konvertiĝon de elektra energio al optikaj signaloj, kio estas esenca en telekomunikadoj kaj alt-rapida interreta infrastrukturo.

Demandoj kaj Respondoj

QKio estas 4H en 4H SiC?
A："4H" en 4H SiC rilatas al la kristala strukturo de siliciokarbido, specife seslateran formon kun kvar tavoloj (H). La "H" indikas la tipon de seslatera politipo, distingante ĝin de aliaj SiC-politipoj kiel 6H aŭ 3C.

QKio estas la varmokondukteco de 4H-SiC?
ALa varmokondukteco de 4H-SiC (Silicia Karbido) estas proksimume 490-500 W/m·K je ĉambra temperaturo. Ĉi tiu alta varmokondukteco igas ĝin ideala por aplikoj en potencelektroniko kaj alttemperaturaj medioj, kie efika varmodisradiado estas decida.

  • Antaŭa:
  • Sekva:

    • Rilataj Produktoj

    Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni
    Premu enen por serĉi aŭ ESC por fermi