P-tipa SiC-plato 4H/6H-P 3C-N 6-cola dikeco 350 μm kun Primara Plata Orientiĝo
Specifo 4H/6H-P Tipo SiC Komponitaj Substratoj Oftaj parametroj
6 colo da diametro Silicia Karbido (SiC) Substrato Specifo
| Grado | Nula MPD-ProduktadoGrado (Z Grado) | Norma ProduktadoGrado (P Grado) | Imitaĵa Grado (D Grado) | ||
| Diametro | 145,5 mm~150,0 mm | ||||
| Dikeco | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Oblate Orientiĝo | -Offakso: 2.0°-4.0° direkte al [1120] ± 0.5° por 4H/6H-P, Sur akso:〈111〉± 0.5° por 3C-N | ||||
| Mikropipa Denseco | 0 cm⁻² | ||||
| Rezistiveco | p-tipa 4H/6H-P | ≤0.1 Ωcm | ≤0.3 Ωcm | ||
| n-tipa 3C-N | ≤0.8 mΩ·cm | ≤1 m Ωcm | |||
| Primara Plata Orientiĝo | 4H/6H-P | -{1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5.0° | ||||
| Primara Plata Longo | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundara Plata Longo | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||||
| Sekundara Plata Orientiĝo | Silicia vizaĝo supren: 90° dekstrume de Prime-plato ± 5.0° | ||||
| Randa Ekskludo | 3 milimetroj | 6 milimetroj | |||
| LTV/TTV/Arko/Varpo | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Malglateco | Pola Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Randaj Fendetoj Per Alta Intenseco Lumo | Neniu | Akumula longo ≤ 10 mm, unuopa longo ≤ 2 mm | |||
| Sesangulaj Platoj Per Alta Intenseco Lumo | Akumula areo ≤0.05% | Akumula areo ≤0.1% | |||
| Politipaj Areoj Per Alta Intenseco Lumo | Neniu | Akumula areo ≤3% | |||
| Vidaj Karbonaj Inkludaĵoj | Akumula areo ≤0.05% | Akumula areo ≤3% | |||
| Gratvundoj sur Silicia Surfaco per Alta Intenseco de Lumo | Neniu | Akumula longo ≤ 1 × diametro de la oblato | |||
| Randaj Ĉipoj Alta Per Intenseca Lumo | Neniu permesita ≥0.2mm larĝo kaj profundo | 5 permesitaj, ≤1 mm ĉiu | |||
| Silicia Surfaca Poluado Per Alta Intenseco | Neniu | ||||
| Pakado | Plur-vafla Kasedo aŭ Unuopa Vafla Ujo | ||||
Notoj:
※ La limoj pri difektoj validas por la tuta surfaco de la silicisurfaco, escepte de la rando-ekskluziva areo. # La gratvundoj estu kontrolitaj sur la silicisurfaco.
La P-tipa SiC-plato, 4H/6H-P 3C-N, kun sia 6-cola grandeco kaj 350 μm dikeco, ludas gravan rolon en la industria produktado de alt-efikeca potencelektroniko. Ĝia bonega varmokondukteco kaj alta disrompa tensio igas ĝin ideala por fabrikado de komponantoj kiel potencoŝaltiloj, diodoj kaj transistoroj uzataj en alt-temperaturaj medioj kiel elektraj veturiloj, elektroretoj kaj renovigeblaj energiaj sistemoj. La kapablo de la plato funkcii efike en severaj kondiĉoj certigas fidindan funkciadon en industriaj aplikoj postulantaj altan potencdensecon kaj energiefikecon. Krome, ĝia primara plata orientiĝo helpas precizan vicigon dum aparatfabrikado, plibonigante produktadefikecon kaj produktokonsekvencon.
La avantaĝoj de N-tipaj SiC-kompozitaj substratoj inkluzivas
- Alta Termika KonduktivecoP-tipaj SiC-oblatoj efike disipas varmon, igante ilin idealaj por alt-temperaturaj aplikoj.
- Alta Paneo-TensioKapabla elteni altajn tensiojn, certigante fidindecon en potencelektroniko kaj alttensiaj aparatoj.
- Rezisto al Severaj MediojBonega fortikeco en ekstremaj kondiĉoj, kiel altaj temperaturoj kaj korodaj medioj.
- Efika Potenco-KonvertoLa P-tipa dopado faciligas efikan potenco-traktadon, igante la oblateton taŭga por energi-konvertaj sistemoj.
- Primara Plata OrientiĝoCertigas precizan vicigon dum fabrikado, plibonigante la precizecon kaj konsistencon de la aparato.
- Maldika Strukturo (350 μm)La optimuma dikeco de la oblato subtenas integriĝon en progresintajn, spaclimigitajn elektronikajn aparatojn.
Ĝenerale, la P-tipa SiC-blato, 4H/6H-P 3C-N, ofertas gamon da avantaĝoj, kiuj igas ĝin tre taŭga por industriaj kaj elektronikaj aplikoj. Ĝia alta varmokondukteco kaj disrompa tensio ebligas fidindan funkciadon en alttemperaturaj kaj alttensiaj medioj, dum ĝia rezisto al severaj kondiĉoj certigas daŭripovon. La P-tipa dopaĵo permesas efikan potenckonverton, igante ĝin ideala por potencelektroniko kaj energiaj sistemoj. Krome, la primara plata orientiĝo de la blato certigas precizan vicigon dum la fabrikada procezo, plibonigante la produktadkonsekvencon. Kun dikeco de 350 μm, ĝi bone taŭgas por integriĝo en progresintajn, kompaktajn aparatojn.
Detala Diagramo
