P-tipa SiC-oblato 4H/6H-P 3C-N 6cola dikeco 350 μm kun Primara Plata Orientiĝo

P-tipa SiC-oblato 4H/6H-P 3C-N 6cola dikeco 350 μm kun Primara Ebena Orientiĝo Elstara bildo

Mallonga Priskribo:

La P-tipa SiC-oblato, 4H/6H-P 3C-N, estas 6-cola semikondukta materialo kun dikeco de 350 μm kaj primara plata orientiĝo, desegnita por progresintaj elektronikaj aplikoj. Konata pro sia alta varmokondukteco, alta romptensio kaj rezisto al ekstremaj temperaturoj kaj korodaj medioj, ĉi tiu oblato taŭgas por alt-efikecaj elektronikaj aparatoj. La P-tipa dopado enkondukas truojn kiel la ĉefaj ŝargportantoj, igante ĝin ideala por potenca elektroniko kaj RF-aplikoj. Ĝia fortika strukturo certigas stabilan agadon sub alttensiaj kaj altfrekvencaj kondiĉoj, igante ĝin bone taŭga por potencaj aparatoj, alt-temperatura elektroniko kaj alt-efikeca energikonverto. La primara plata orientiĝo certigas precizan vicigon en la produktada procezo, provizante konsistencon en aparato-fabrikado.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Specifo4H/6H-P Tipo SiC Komponitaj Substratoj Komuna parametrotabelo

6 cola diametro Silicia Karburo (SiC) Substrato Specifo

Grado			Nula MPD-ProduktadoGrado (Z Grado)	Norma ProduktadoGrado (P Grado)	Dummy Grado (D Grado)
Diametro			145,5 mm~150,0 mm
Dikeco			350 μm ± 25 μm
Oblata Orientiĝo			-Offakso: 2.0°-4.0°al [1120] ± 0.5° por 4H/6H-P, Sur akso:〈111〉± 0.5° por 3C-N
Mikropipa Denso			0 cm-2
Rezisteco	p-tipo 4H/6H-P		≤0.1 Ωꞏcm		≤0.3 Ωꞏcm
	n-tipo 3C-N		≤0.8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primara Ebena Orientiĝo		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Primara Ebena Longo			32,5 mm ± 2,0 mm
Malĉefa Ebena Longo			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundara Plata Orientiĝo			Silicio vizaĝo supren: 90° CW. de Prima bemola ± 5.0°
Rando Ekskludo			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bow/Warp			≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rudeco			Pola Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0.2 nm		Ra≤0.5 nm
Rando Fendoj De Alta Intensa Lumo			Neniu		Akumula longo ≤ 10 mm, ununura longo≤2 mm
Heksaj Platoj Per Alta Intensa Lumo			Akumula areo ≤0.05%		Akumula areo ≤0.1%
Politipaj Areoj Per Alta Intensa Lumo			Neniu		Akumula areo≤3%
Vidaj Karbonaj Inkludoj			Akumula areo ≤0.05%		Akumula areo ≤3%
Siliciaj Surfacaj Gratoj Per Alta Intensa Lumo			Neniu		Akumula longo≤1×diametro de oblato
Randaj Blatoj Alta Per Intensa Lumo			Neniu permesis ≥0.2mm larĝon kaj profundon		5 permesitaj, ≤1 mm ĉiu
Silicia Surfaca Poluado De Alta Intenso			Neniu
Pakado			Multi-oblata Kasedo aŭ Ununura Oblata Ujo

Notoj:

※ Difektoj limoj validas por tuta obla surfaco krom la randa ekskludo areo. # La grataĵoj estu kontrolitaj sur Si-vizaĝo o

La P-tipa SiC-oblato, 4H/6H-P 3C-N, kun sia 6-cola grandeco kaj 350 μm dikeco, ludas decidan rolon en la industria produktado de alt-efikeca potenca elektronika. Ĝia bonega varmokondukteco kaj alta romptensio igas ĝin ideala por fabrikado de komponantoj kiel elektraj ŝaltiloj, diodoj kaj transistoroj uzataj en alt-temperaturaj medioj kiel elektraj veturiloj, elektraj retoj kaj renoviĝantaj energiaj sistemoj. La kapablo de la oblato funkcii efike en severaj kondiĉoj certigas fidindan agadon en industriaj aplikoj postulantaj altan potencan densecon kaj energian efikecon. Aldone, ĝia primara plata orientiĝo helpas en preciza vicigo dum aparato-fabrikado, plibonigante produktan efikecon kaj produktan konsistencon.

La avantaĝoj de N-specaj SiC kunmetitaj substratoj inkluzivas

Alta Termika Kondukto: P-tipaj SiC-oblatoj efike disipas varmon, igante ilin idealaj por alt-temperaturaj aplikoj.
Alta Rompa Tensio: Kapabla elteni altajn tensiojn, certigante fidindecon en potenca elektroniko kaj alttensiaj aparatoj.
Rezisto al severaj medioj: Bonega fortikeco en ekstremaj kondiĉoj, kiel altaj temperaturoj kaj korodaj medioj.
Efika Potenca Konverto: La P-speca dopado faciligas efikan potenctraktadon, igante la oblaton taŭga por energikonvertaj sistemoj.
Primara Ebena Orientiĝo: Certigas precizan vicigon dum fabrikado, plibonigante aparatan precizecon kaj konsistencon.
Maldika Strukturo (350 μm): La optimuma dikeco de la oblato subtenas integriĝon en progresintajn, spac-limigitajn elektronikajn aparatojn.

Ĝenerale, la P-tipa SiC-oblato, 4H/6H-P 3C-N, ofertas gamon da avantaĝoj, kiuj igas ĝin tre taŭga por industriaj kaj elektronikaj aplikoj. Ĝia alta varmokondukteco kaj paneotensio ebligas fidindan funkciadon en alt-temperaturaj kaj alttensiaj medioj, dum ĝia rezisto al severaj kondiĉoj certigas fortikecon. La P-speca dopado permesas efikan potenckonverton, igante ĝin ideala por potenca elektroniko kaj energisistemoj. Aldone, la primara plata orientiĝo de la oblato certigas precizan vicigon dum la produktada procezo, plibonigante produktadkonsistecon. Kun dikeco de 350 μm, ĝi taŭgas por integriĝo en progresintajn, kompaktajn aparatojn.