P-tipa SiC-oblato 4H/6H-P 3C-N 6cola dikeco 350 μm kun Primara Plata Orientiĝo
Specifo4H/6H-P Tipo SiC Komponitaj Substratoj Komuna parametrotabelo
6 cola diametro Silicia Karburo (SiC) Substrato Specifo
| Grado | Nula MPD-ProduktadoGrado (Z Grado) | Norma ProduktadoGrado (P Grado) | Dummy Grado (D Grado) | ||
| Diametro | 145,5 mm~150,0 mm | ||||
| Dikeco | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Oblata Orientiĝo | -Offakso: 2.0°-4.0°al [1120] ± 0.5° por 4H/6H-P, Sur akso:〈111〉± 0.5° por 3C-N | ||||
| Mikropipa Denso | 0 cm-2 | ||||
| Rezisteco | p-tipo 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏcm | ≤0.3 Ωꞏcm | ||
| n-tipo 3C-N | ≤0.8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Primara Ebena Orientiĝo | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Primara Ebena Longo | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Malĉefa Ebena Longo | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundara Plata Orientiĝo | Silicio vizaĝo supren: 90° CW. de Prima bemola ± 5.0° | ||||
| Rando Ekskludo | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rudeco | Pola Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Rando Fendoj De Alta Intensa Lumo | Neniu | Akumula longo ≤ 10 mm, ununura longo≤2 mm | |||
| Heksaj Platoj Per Alta Intensa Lumo | Akumula areo ≤0.05% | Akumula areo ≤0.1% | |||
| Politipaj Areoj Per Alta Intensa Lumo | Neniu | Akumula areo≤3% | |||
| Vidaj Karbonaj Inkludoj | Akumula areo ≤0.05% | Akumula areo ≤3% | |||
| Siliciaj Surfacaj Gratoj Per Alta Intensa Lumo | Neniu | Akumula longo≤1×diametro de oblato | |||
| Randaj Blatoj Alta Per Intensa Lumo | Neniu permesis ≥0.2mm larĝon kaj profundon | 5 permesitaj, ≤1 mm ĉiu | |||
| Silicia Surfaca Poluado De Alta Intenso | Neniu | ||||
| Pakado | Multi-oblata Kasedo aŭ Ununura Oblata Ujo | ||||
Notoj:
※ Difektoj limoj validas por tuta obla surfaco krom la randa ekskludo areo. # La grataĵoj estu kontrolitaj sur Si-vizaĝo o
La P-tipa SiC-oblato, 4H/6H-P 3C-N, kun sia 6-cola grandeco kaj 350 μm dikeco, ludas decidan rolon en la industria produktado de alt-efikeca potenca elektronika. Ĝia bonega varmokondukteco kaj alta romptensio igas ĝin ideala por fabrikado de komponantoj kiel elektraj ŝaltiloj, diodoj kaj transistoroj uzataj en alt-temperaturaj medioj kiel elektraj veturiloj, elektraj retoj kaj renoviĝantaj energiaj sistemoj. La kapablo de la oblato funkcii efike en severaj kondiĉoj certigas fidindan agadon en industriaj aplikoj postulantaj altan potencan densecon kaj energian efikecon. Aldone, ĝia primara plata orientiĝo helpas en preciza vicigo dum aparato-fabrikado, plibonigante produktan efikecon kaj produktan konsistencon.
La avantaĝoj de N-specaj SiC kunmetitaj substratoj inkluzivas
- Alta Termika Kondukto: P-tipaj SiC-oblatoj efike disipas varmon, igante ilin idealaj por alt-temperaturaj aplikoj.
- Alta Rompa Tensio: Kapabla elteni altajn tensiojn, certigante fidindecon en potenca elektroniko kaj alttensiaj aparatoj.
- Rezisto al severaj medioj: Bonega fortikeco en ekstremaj kondiĉoj, kiel altaj temperaturoj kaj korodaj medioj.
- Efika Potenca Konverto: La P-speca dopado faciligas efikan potenctraktadon, igante la oblaton taŭga por energikonvertaj sistemoj.
- Primara Ebena Orientiĝo: Certigas precizan vicigon dum fabrikado, plibonigante aparatan precizecon kaj konsistencon.
- Maldika Strukturo (350 μm): La optimuma dikeco de la oblato subtenas integriĝon en progresintajn, spac-limigitajn elektronikajn aparatojn.
Ĝenerale, la P-tipa SiC-oblato, 4H/6H-P 3C-N, ofertas gamon da avantaĝoj, kiuj igas ĝin tre taŭga por industriaj kaj elektronikaj aplikoj. Ĝia alta varmokondukteco kaj paneotensio ebligas fidindan funkciadon en alt-temperaturaj kaj alttensiaj medioj, dum ĝia rezisto al severaj kondiĉoj certigas fortikecon. La P-speca dopado permesas efikan potenckonverton, igante ĝin ideala por potenca elektroniko kaj energisistemoj. Aldone, la primara plata orientiĝo de la oblato certigas precizan vicigon dum la produktada procezo, plibonigante produktadkonsistecon. Kun dikeco de 350 μm, ĝi taŭgas por integriĝo en progresintajn, kompaktajn aparatojn.
Detala Diagramo
