p-tipo 4H/6H-P 3C-N TIPO SIC substrato 4cola 〈111〉± 0.5°Nulo MPD

Mallonga Priskribo:

La P-tipa 4H/6H-P 3C-N-tipo SiC-substrato, 4-cola kun 〈111〉± 0,5° orientiĝo kaj Nula MPD (Mikropipa Difekto) grado, estas alt-efikeca duonkondukta materialo desegnita por progresinta elektronika aparato. fabrikado. Konata pro ĝia bonega termika kondukteco, alta paneotensio kaj forta rezisto al altaj temperaturoj kaj korodo, ĉi tiu substrato estas ideala por potenca elektroniko kaj RF-aplikoj. La Zero MPD-grado garantias minimumajn difektojn, certigante fidindecon kaj stabilecon en alt-efikecaj aparatoj. Ĝia preciza 〈111〉± 0.5° orientiĝo permesas precizan vicigon dum fabrikado, igante ĝin taŭga por grandskalaj produktadaj procezoj. Ĉi tiu substrato estas vaste uzata en elektronikaj aparatoj alt-temperaturaj, alttensiaj kaj altfrekvencaj, kiel elektraj konvertiloj, invetiloj kaj RF-komponentoj.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

4H/6H-P Tipo SiC Komponitaj Substratoj Komuna parametrotabelo

4 cola diametro SilicioCarbide (SiC) Substrato Specifo

Grado			Nula MPD-Produktado Grado (Z Grado)	Norma Produktado Grado (P Grado)	Dummy Grado (D Grado)
Diametro			99,5 mm~100,0 mm
Dikeco			350 μm ± 25 μm
Oblata Orientiĝo			For de akso: 2.0°-4.0°al [112(-)0] ± 0.5° por 4H/6H-P, On-akso:〈111〉± 0,5° por 3C-N
Mikropipa Denso			0 cm-2
Rezisteco	p-tipo 4H/6H-P		≤0.1 Ωꞏcm		≤0.3 Ωꞏcm
	n-tipo 3C-N		≤0.8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primara Ebena Orientiĝo		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Primara Ebena Longo			32,5 mm ± 2,0 mm
Malĉefa Ebena Longo			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundara Plata Orientiĝo			Silicio vizaĝo supren: 90° CW. de Prime flat±5,0°
Rando Ekskludo			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bow/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rudeco			Pola Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0.2 nm		Ra≤0.5 nm
Rando Fendoj De Alta Intensa Lumo			Neniu		Akumula longo ≤ 10 mm, ununura longo≤2 mm
Heksaj Platoj Per Alta Intensa Lumo			Akumula areo ≤0.05%		Akumula areo ≤0.1%
Politipaj Areoj Per Alta Intensa Lumo			Neniu		Akumula areo≤3%
Vidaj Karbonaj Inkludoj			Akumula areo ≤0.05%		Akumula areo ≤3%
Siliciaj Surfacaj Gratoj Per Alta Intensa Lumo			Neniu		Akumula longo≤1×diametro de oblato
Randaj Blatoj Alta Per Intensa Lumo			Neniu permesis ≥0.2mm larĝon kaj profundon		5 permesitaj, ≤1 mm ĉiu
Silicia Surfaca Poluado De Alta Intenso			Neniu
Pakado			Multi-oblata Kasedo aŭ Ununura Oblata Ujo

Notoj:

※Limoj de difektoj validas por tuta oblasurfaco krom la rando-ekskludareo. # La grataĵoj devas esti kontrolitaj nur sur Si-vizaĝo.

La P-tipo 4H/6H-P 3C-N-tipo 4-cola SiC-substrato kun 〈111〉± 0.5° orientiĝo kaj Zero MPD-grado estas vaste uzata en alt-efikecaj elektronikaj aplikoj. Ĝia bonega termika kondukteco kaj alta romptensio igas ĝin ideala por elektra elektroniko, kiel alttensiaj ŝaltiloj, invetiloj kaj potencaj konvertiloj, funkciante en ekstremaj kondiĉoj. Aldone, la rezisto de la substrato al altaj temperaturoj kaj korodo certigas stabilan agadon en severaj medioj. La preciza 〈111〉± 0.5° orientiĝo plibonigas fabrikadan precizecon, igante ĝin taŭga por RF-aparatoj kaj altfrekvencaj aplikoj, kiel radaraj sistemoj kaj sendrata komunika ekipaĵo.

La avantaĝoj de N-specaj SiC kunmetitaj substratoj inkludas:

1. Alta Termika Kondukteco: Efika varmo disipado, igante ĝin taŭga por alt-temperaturaj medioj kaj alt-potencaj aplikoj.
2. Alta Rompa Tensio: Certigas fidindan agadon en alttensiaj aplikoj kiel potencaj konvertiloj kaj invetiloj.
3. Nulo MPD (Micro Pipe Defect) Grado: Garantias minimumajn difektojn, provizante stabilecon kaj altan fidindecon en kritikaj elektronikaj aparatoj.
4. Koroda Rezisto: Durable en severaj medioj, certigante longtempan funkcion en postulemaj kondiĉoj.
5. Preciza 〈111〉± 0.5° Orientiĝo: Ebligas precizan vicigon dum fabrikado, plibonigante aparatan agadon en altfrekvencaj kaj RF-aplikoj.

Ĝenerale, la P-tipo 4H/6H-P 3C-N-tipo 4-cola SiC-substrato kun 〈111〉± 0.5° orientiĝo kaj Zero MPD-grado estas alt-efikeca materialo ideala por progresintaj elektronikaj aplikoj. Ĝia bonega varmokondukteco kaj alta paneotensio igas ĝin perfekta por elektra elektroniko kiel alttensiaj ŝaltiloj, invetiloj kaj konvertiloj. La Zero MPD-grado certigas minimumajn difektojn, provizante fidindecon kaj stabilecon en kritikaj aparatoj. Aldone, la rezisto de la substrato al korodo kaj altaj temperaturoj certigas fortikecon en severaj medioj. La preciza 〈111〉± 0.5° orientiĝo permesas precizan vicigon dum fabrikado, igante ĝin tre taŭga por RF-aparatoj kaj altfrekvencaj aplikoj.