p-tipa 4H/6H-P 3C-N TIPA SIC-substrato 4 coloj 〈111〉± 0.5°Nulo MPD
Tabelo de komunaj parametroj por 4H/6H-P Tipo SiC Komponitaj Substratoj
4 colo da diametro SilicioKarbida (SiC) Substrato Specifo
| Grado | Nula MPD-Produktado Grado (Z Grado) | Norma Produktado Grado (P Grado) | Imitaĵa Grado (D Grado) | ||
| Diametro | 99.5 mm~100.0 mm | ||||
| Dikeco | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Oblate Orientiĝo | Eksteraksa: 2.0°-4.0° direkte al [1120] ± 0,5° por 4H/6H-P, On-akso: 〈111〉± 0.5° por 3C-N | ||||
| Mikropipa Denseco | 0 cm⁻² | ||||
| Rezistiveco | p-tipa 4H/6H-P | ≤0.1 Ωcm | ≤0.3 Ωcm | ||
| n-tipa 3C-N | ≤0.8 mΩ·cm | ≤1 m Ωcm | |||
| Primara Plata Orientiĝo | 4H/6H-P | - {1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5.0° | ||||
| Primara Plata Longo | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundara Plata Longo | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||||
| Sekundara Plata Orientiĝo | Silicia vizaĝo supren: 90° dekstrume de Prime-plato±5.0° | ||||
| Randa Ekskludo | 3 milimetroj | 6 milimetroj | |||
| LTV/TTV/Arko/Varpo | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Malglateco | Pola Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Randaj Fendetoj Per Alta Intenseco Lumo | Neniu | Akumula longo ≤ 10 mm, unuopa longo ≤ 2 mm | |||
| Sesangulaj Platoj Per Alta Intenseco Lumo | Akumula areo ≤0.05% | Akumula areo ≤0.1% | |||
| Politipaj Areoj Per Alta Intenseco Lumo | Neniu | Akumula areo ≤3% | |||
| Vidaj Karbonaj Inkludoj | Akumula areo ≤0.05% | Akumula areo ≤3% | |||
| Gratvundoj sur Silicia Surfaco per Alta Intenseco de Lumo | Neniu | Akumula longo ≤ 1 × diametro de la oblato | |||
| Randaj Ĉipoj Alta Per Intenseca Lumo | Neniu permesita ≥0.2mm larĝo kaj profundo | 5 permesitaj, ≤1 mm ĉiu | |||
| Silicia Surfaca Poluado Per Alta Intenseco | Neniu | ||||
| Pakado | Plur-vafla Kasedo aŭ Unuopa Vafla Ujo | ||||
Notoj:
※Limigoj pri difektoj validas por la tuta surfaco de la siliciaĵo krom la areo de la rando. # La gratvundoj estu kontrolitaj nur sur la silicia faco.
La 4-cola SiC-substrato de tipo P 4H/6H-P 3C-N kun orientiĝo 〈111〉± 0.5° kaj grado Nulo MPD estas vaste uzata en alt-efikecaj elektronikaj aplikoj. Ĝia bonega varmokondukteco kaj alta disrompa tensio igas ĝin ideala por potencelektroniko, kiel alt-tensiaj ŝaltiloj, invetiloj kaj potenckonvertiloj, funkciantaj en ekstremaj kondiĉoj. Krome, la rezisto de la substrato al altaj temperaturoj kaj korodo certigas stabilan funkciadon en severaj medioj. La preciza orientiĝo 〈111〉± 0.5° plibonigas la fabrikadan precizecon, igante ĝin taŭga por RF-aparatoj kaj alt-frekvencaj aplikoj, kiel radarsistemoj kaj sendrataj komunikaj ekipaĵoj.
La avantaĝoj de N-tipaj SiC-kompozitaj substratoj inkluzivas:
1. Alta Termika Konduktiveco: Efika varmodisradiado, igante ĝin taŭga por alttemperaturaj medioj kaj altpotencaj aplikoj.
2. Alta Rompa Tensio: Certigas fidindan funkciadon en alttensiaj aplikoj kiel potencokonvertiloj kaj invetiloj.
3. Nul MPD (Mikro-Tuba Difekto) Grado: Garantias minimumajn difektojn, provizante stabilecon kaj altan fidindecon en kritikaj elektronikaj aparatoj.
4. Kororezisto: Daŭra en severaj medioj, certigante longdaŭran funkciadon en postulemaj kondiĉoj.
5. Preciza 〈111〉± 0.5° Orientiĝo: Permesas precizan vicigon dum fabrikado, plibonigante aparatan rendimenton en altfrekvencaj kaj RF-aplikoj.
Ĝenerale, la P-tipa 4H/6H-P 3C-N tipo 4-cola SiC-substrato kun 〈111〉± 0.5° orientiĝo kaj grado Nulo MPD estas alt-efikeca materialo ideala por progresintaj elektronikaj aplikoj. Ĝia bonega varmokondukteco kaj alta disrompa tensio igas ĝin perfekta por potencelektroniko kiel alt-tensiaj ŝaltiloj, invetiloj kaj konvertiloj. La grado Nulo MPD certigas minimumajn difektojn, provizante fidindecon kaj stabilecon en kritikaj aparatoj. Krome, la rezisto de la substrato al korodo kaj altaj temperaturoj certigas daŭripovon en severaj medioj. La preciza 〈111〉± 0.5° orientiĝo permesas precizan vicigon dum fabrikado, igante ĝin tre taŭga por RF-aparatoj kaj alt-frekvencaj aplikoj.
Detala Diagramo
