SiC-oblatoj estas duonkonduktaĵoj faritaj el siliciokarbido.Ĉi tiu materialo estis evoluigita en 1893 kaj estas ideala por diversaj aplikoj.Speciale taŭga por Schottky-diodoj, krucvoja baro Schottky-diodoj, ŝaltiloj kaj metal-oksido-semikonduktaĵo kampefikaj transistoroj.Pro ĝia alta malmoleco, ĝi estas bonega elekto por elektronikaj komponantoj.
Nuntempe, ekzistas du ĉefaj specoj de SiC-oblatoj.La unua estas polurita oblato, kiu estas ununura silicikarbura oblato.Ĝi estas farita el altpuraj SiC-kristaloj kaj povas esti 100mm aŭ 150mm en diametro.Ĝi estas uzata en elektronikaj aparatoj de alta potenco.La dua tipo estas epitaksia kristala siliciokarburoblato.Ĉi tiu speco de oblato estas farita aldonante ununuran tavolon de silicikarbidkristaloj al la surfaco.Tiu metodo postulas precizan kontrolon de la dikeco de la materialo kaj estas konata kiel N-speca epitaksio.
La sekva tipo estas beta-siliciokarbido.Beta SiC estas produktita ĉe temperaturoj super 1700 celsiusgradoj.Alfa-karbidoj estas la plej oftaj kaj havas sesangulan kristalstrukturon similan al wurtzito.La beta-formo similas al diamanto kaj estas uzata en iuj aplikoj.Ĝi ĉiam estis la unua elekto por duonpretaj produktoj por elektraj veturiloj.Pluraj triaj provizantoj de silicikarburaj oblatoj nuntempe laboras pri ĉi tiu nova materialo.
ZMSH SiC-oblatoj estas tre popularaj semikonduktaĵmaterialoj.Ĝi estas altkvalita semikondukta materialo, kiu taŭgas por multaj aplikoj.ZMSH-siliciokarburoblatoj estas tre utila materialo por diversaj elektronikaj aparatoj.ZMSH liveras larĝan gamon de altkvalitaj SiC-oblatoj kaj substratoj.Ili estas haveblaj en N-specaj kaj duonizolaj formoj.
2---Silicia Karbido: Al nova epoko de oblatoj
Fizikaj trajtoj kaj karakterizaĵoj de siliciokarbido
Silicia karbido havas specialan kristalan strukturon, uzante sesangulan proksime plenplenan strukturon similan al diamanto.Ĉi tiu strukturo ebligas al silicio-karbido havi bonegan varmokonduktecon kaj alttemperaturan reziston.Kompare al tradiciaj siliciaj materialoj, siliciokarbido havas pli grandan bendinterspacon, kiu disponigas pli altan elektronbendan interspacon, rezultigante pli altan elektronan moveblecon kaj pli malaltan elfluan kurenton.Krome, siliciokarbido ankaŭ havas pli altan elektronsaturiĝan drivrapidecon kaj pli malaltan resistivecon de la materialo mem, disponigante pli bonan efikecon por altaj potencaj aplikoj.
Aplikaj kazoj kaj perspektivoj de silicikarburaj oblatoj
Potencaj elektronikaj aplikoj
Silicia karburoblato havas larĝan aplikan perspektivon en potenca elektronika kampo.Pro ilia alta elektrona movebleco kaj bonega varmokondukteco, SIC-oblatoj povas esti uzataj por produkti alt-potencajn densecajn ŝaltilojn, kiel potencmodulojn por elektraj veturiloj kaj sunaj invetiloj.La alta temperaturstabileco de silicikarburaj oblatoj ebligas ĉi tiujn aparatojn funkcii en alttemperaturaj medioj, provizante pli grandan efikecon kaj fidindecon.
Optoelektronikaj aplikoj
En la kampo de optoelektronikaj aparatoj, silicikarburaj oblatoj montras siajn unikajn avantaĝojn.Silicia karbura materialo havas larĝajn bendinterspacojn, kiuj ebligas ĝin atingi altan fotonon-energion kaj malaltan lumperdon en optoelektronikaj aparatoj.Silicikarburaj oblatoj povas esti uzataj por prepari altrapidajn komunikajn aparatojn, fotodetektilojn kaj laserojn.Ĝia bonega termika kondukteco kaj malalta kristala difekta denseco igas ĝin ideala por la preparado de altkvalitaj optoelektronikaj aparatoj.
Perspektivo
Kun la kreskanta postulo je alt-efikecaj elektronikaj aparatoj, silicikarburaj oblatoj havas promesplenan estontecon kiel materialo kun bonegaj propraĵoj kaj larĝa aplika potencialo.Kun la kontinua plibonigo de prepara teknologio kaj la redukto de kosto, la komerca apliko de silicikarburaj oblatoj estos promociita.Estas atendite, ke en la venontaj kelkaj jaroj, silicikarburaj oblatoj iom post iom eniros la merkaton kaj fariĝos la ĉefa elekto por alta potenco, altfrekvenca kaj alta temperaturaj aplikoj.
3---Profunda analizo de SiC-oblatmerkato kaj teknologiaj tendencoj
Profunda analizo de siliciokarbido (SiC) oblataj merkatmotoroj
La kresko de la merkato de oblatoj de silicio-karbido (SiC) estas influita de pluraj ŝlosilaj faktoroj, kaj profunda analizo de la efiko de ĉi tiuj faktoroj sur la merkato estas kritika.Jen kelkaj el la ĉefaj merkataj ŝoforoj:
Energiŝparado kaj mediprotekto: La alta rendimento kaj malalta energikonsuma karakterizaĵoj de siliciokarburaj materialoj igas ĝin populara en la kampo de energiŝparado kaj mediprotekto.La postulo pri elektraj veturiloj, sunaj invetiloj kaj aliaj energikonvertaj aparatoj kondukas la merkatan kreskon de silicikarburaj oblatoj ĉar ĝi helpas redukti energian malŝparo.
Potencaj Elektronikaj aplikoj: Silicia karbido elstaras en potencaj elektronikaj aplikoj kaj povas esti uzata en potenca elektronika sub alta premo kaj alttemperaturaj medioj.Kun la popularigo de renovigebla energio kaj la promocio de elektra potenco transiro, la postulo je silicikarburaj oblatoj en la elektronika merkato daŭre pliiĝas.
SiC oblatoj estonta fabrikado teknologio disvolviĝo tendenco detala analizo
Amasa produktado kaj kostoredukto: Estonta SiC-oblaĵfabrikado fokusiĝos pli al amasproduktado kaj kostoredukto.Ĉi tio inkluzivas plibonigitajn kreskteknikojn kiel kemia vapordemetado (CVD) kaj fizika vapordemetado (PVD) por pliigi produktivecon kaj redukti produktokostojn.Krome, la adopto de inteligentaj kaj aŭtomatigitaj produktadprocezoj estas atendita plu plibonigi efikecon.
Nova oblatgrandeco kaj strukturo: La grandeco kaj strukturo de SiC oblatoj eble ŝanĝiĝos en la estonteco por renkonti la bezonojn de malsamaj aplikoj.Ĉi tio povas inkludi pli grandajn diametrajn oblatojn, heterogenajn strukturojn aŭ plurtavolajn oblatojn por disponigi pli da dezajnoflekseblecon kaj spektakloelektojn.
Energia Efikeco kaj Verda Fabrikado: La fabrikado de SiC-oblatoj estonte metos pli grandan emfazon de energia efikeco kaj verda fabrikado.Fabrikoj funkciigitaj per renoviĝanta energio, verdaj materialoj, rubreciklado kaj malaltkarbonaj produktadprocezoj fariĝos tendencoj en fabrikado.
Afiŝtempo: Jan-19-2024