La 26-an, Power Cube Semi anoncis la sukcesan disvolviĝon de la unua 2300V SiC (Silicio-karbido) MOSFET-semikonduktaĵo de Sud-Koreio.
Kompare al ekzistantaj semikonduktaĵoj bazitaj sur Si (Silicon), SiC (Silicio-karbido) povas elteni pli altajn tensiojn, tial estante salutita kiel la venontgeneracia aparato gvidanta la estontecon de potencaj duonkonduktaĵoj.Ĝi funkcias kiel decida komponento necesa por enkonduko de avangardaj teknologioj, kiel ekzemple la proliferado de elektraj veturiloj kaj la vastiĝo de datumcentroj pelitaj de artefarita inteligenteco.
Power Cube Semi estas senfabla firmao kiu disvolvas potencajn semikonduktaĵaparatojn en tri ĉefaj kategorioj: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), kaj Ga2O3 (Galium Oxide).Lastatempe, la firmao aplikis kaj vendis altkapacitaj Schottky Barrier Diodes (SBD) al tutmonda elektra veturilo-kompanio en Ĉinio, akirante rekonon por ĝia duonkondukta dezajno kaj teknologio.
La liberigo de la 2300V SiC MOSFET estas rimarkinda kiel la unua tia evoluokazo en Sud-Koreio.Infineon, tutmonda potenco-semikonduktaĵfirmao bazita en Germanio, ankaŭ anoncis la lanĉon de sia 2000V-produkto en marto, sed sen 2300V-produkta linio.
La 2000V CoolSiC MOSFET de Infineon, utiliganta la TO-247PLUS-4-HCC-pakaĵon, renkontas la postulon pri pliigita potenca denseco inter dizajnistoj, certigante sisteman fidindecon eĉ sub severaj alttensiaj kaj ŝanĝaj frekvencaj kondiĉoj.
La CoolSiC MOSFET ofertas pli altan kontinuan ligan tension, ebligante potencopliiĝon sen pliigo de kurento.Ĝi estas la unua diskreta silicio-karbura aparato sur la merkato kun paneotensio de 2000V, utiligante la TO-247PLUS-4-HCC-pakaĵon kun rampa distanco de 14mm kaj forigo de 5.4mm.Ĉi tiuj aparatoj havas malaltajn ŝaltajn perdojn kaj taŭgas por aplikoj kiel sunkordaj inversiloj, energi-stokaj sistemoj kaj elektraj veturiloj.
La produktserio CoolSiC MOSFET 2000V taŭgas por alttensiaj DC-bussistemoj ĝis 1500V DC.Kompare al la 1700V SiC MOSFET, ĉi tiu aparato disponigas sufiĉan trotensian marĝenon por 1500V DC-sistemoj.La CoolSiC MOSFET ofertas 4.5V sojlan tension kaj estas ekipita per fortikaj korpaj diodoj por malmola komutado.Kun .XT-konektoteknologio, ĉi tiuj komponantoj ofertas bonegan termikan rendimenton kaj fortan humidecan reziston.
Krom la 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon baldaŭ lanĉos komplementajn CoolSiC-diodojn pakitajn en TO-247PLUS 4-pinglaj kaj TO-247-2-pakaĵoj respektive en la tria kvarono de 2024 kaj la lasta kvarono de 2024.Tiuj diodoj estas precipe taŭgaj por sunaj aplikoj.Kongruaj pordegaj ŝoforaj produktokombinaĵoj ankaŭ haveblas.
La produktserio CoolSiC MOSFET 2000V nun haveblas sur la merkato.Krome, Infineon ofertas taŭgajn taksadajn tabulojn: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Programistoj povas uzi ĉi tiun tabulon kiel preciza ĝenerala testplatformo por taksi ĉiujn CoolSiC MOSFET-ojn kaj diodojn taksitajn je 2000V, same kiel la EiceDRIVER-kompaktan unu-kanalan izolecan pordegan pelilon 1ED31xx-produktan serion per duobla-pulsa aŭ kontinua PWM-operacio.
Gung Shin-soo, Chief Technology Officer de Power Cube Semi, deklaris, "Ni povis etendi nian ekzistantan sperton en la evoluo kaj amasproduktado de 1700V SiC MOSFEToj al 2300V.
Afiŝtempo: Apr-08-2024