Oblatoj de Indio Antimonido (InSb) N tipo P tipo Epi preta nedopita Te dopita aŭ Ge dopita 2 coloj 3 coloj 4 coloj dikeco Oblatoj de Indio Antimonido (InSb)
Karakterizaĵoj
Dopaj Opcioj:
1. Nedopita:Tiuj oblatoj estas liberaj de iuj dopaj agentoj, igante ilin idealaj por specialecaj aplikoj kiel ekzemple epitaksia kresko.
2.Te Dopita (N-Tipo):Telura (Te) dopado estas ofte uzita por krei N-specajn oblatojn, kiuj estas idealaj por aplikoj kiel ekzemple infraruĝaj detektiloj kaj altrapida elektroniko.
3.Ge Doped (P-Tipo):Germaniumo (Ge) dopado kutimas krei P-specajn oblatojn, ofertante altan truan moviĝeblon por progresintaj semikonduktaĵaplikoj.
Grandecaj Opcioj:
1.Havebla en 2-colaj, 3-colaj kaj 4-colaj diametroj. Tiuj oblatoj servas malsamajn teknologiajn bezonojn, de esplorado kaj evoluo ĝis grandskala fabrikado.
2.Precizaj diametro-toleremoj certigas konsistencon tra aroj, kun diametroj de 50.8±0.3mm (por 2-colaj oblatoj) kaj 76.2±0.3mm (por 3-colaj oblatoj).
Kontrolo de dikeco:
1.La oblatoj haveblas kun dikeco de 500±5μm por optimuma agado en diversaj aplikoj.
2.Aldonaj mezuradoj kiel TTV (Total Thickness Variation), BOW kaj Warp estas zorge kontrolitaj por certigi altan unuformecon kaj kvaliton.
Surfaca Kvalito:
1.La oblatoj venas kun polurita/gravurita surfaco por plibonigita optika kaj elektra rendimento.
2.Ĉi tiuj surfacoj estas idealaj por epitaxial kresko, proponante glatan bazon por plua prilaborado en alt-efikecaj aparatoj.
Epi-Preta:
1.La oblatoj de InSb estas epi-pretaj, tio signifas, ke ili estas antaŭtraktitaj por epitaksiaj deponaj procezoj. Tio igas ilin idealaj por aplikoj en semikonduktaĵproduktado kie epitaksaj tavoloj devas esti kreskigitaj aldone al la oblato.
Aplikoj
1. Infraruĝaj Detektiloj:InSb-oblatoj estas ofte uzitaj en infraruĝa (IR) detekto, precipe en la mez-ondolonga infraruĝa (MWIR) intervalo. Tiuj oblatoj estas esencaj por nokta vizio, termika bildigo, kaj infraruĝaj spektroskopiaplikoj.
2.Altrapida Elektroniko:Pro ilia alta elektrona moviĝeblo, InSb-oblatoj estas uzitaj en altrapidaj elektronikaj aparatoj kiel ekzemple altfrekvencaj transistoroj, kvantumaj putaj aparatoj, kaj alt-elektronaj moviĝeblotransistoroj (HEMToj).
3.Quantum Well-Aparatoj:La mallarĝa bendinterspaco kaj bonega elektrona moviĝeblo igas InSb-oblatojn taŭgaj por uzo en kvantumaj putaj aparatoj. Ĉi tiuj aparatoj estas ŝlosilaj komponantoj en laseroj, detektiloj kaj aliaj optoelektronikaj sistemoj.
4.Spintronaj Aparatoj:InSb ankaŭ estas esplorita en spintronaj aplikoj, kie elektronspino estas uzita por informpretigo. La malalta spin-orbita kuplado de la materialo faras ĝin ideala por ĉi tiuj alt-efikecaj aparatoj.
5. Teraherco (THz) Radiadaplikoj:InSb-bazitaj aparatoj estas uzitaj en THz-radiadaplikoj, inkluzive de scienca esplorado, bildigo, kaj materiala karakterizado. Ili ebligas progresintajn teknologiojn kiel ekzemple THz-spektroskopio kaj THz-bildigaj sistemoj.
6. Termoelektraj Aparatoj:La unikaj trajtoj de InSb igas ĝin alloga materialo por termoelektraj aplikoj, kie ĝi povas esti uzita por konverti varmecon en elektron efike, precipe en niĉaj aplikoj kiel spacteknologio aŭ elektroproduktado en ekstremaj medioj.
Produktaj Parametroj
| Parametro | 2 coloj | 3 coloj | 4 coloj |
| Diametro | 50.8±0.3mm | 76.2±0.3mm | - |
| Dikeco | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Surfaco | Polurita/Gravutita | Polurita/Gravutita | Polurita/Gravutita |
| Dopa Tipo | Nedopita, Te-dopita (N), Ge-dopita (P) | Nedopita, Te-dopita (N), Ge-dopita (P) | Nedopita, Te-dopita (N), Ge-dopita (P) |
| Orientiĝo | (100) | (100) | (100) |
| Pako | Unuopa | Unuopa | Unuopa |
| Epi-Preta | Jes | Jes | Jes |
Elektraj Parametroj por Te Doped (N-Tipo):
- Movebleco: 2000-5000 cm²/V·s
- Rezisteco: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Difekta Denso): ≤2000 difektoj/cm²
Elektraj Parametroj por Ge Doped (P-Tipo):
- Movebleco: 4000-8000 cm²/V·s
- Rezisteco: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (Difekta Denso): ≤2000 difektoj/cm²
Konkludo
Indium Antimonide (InSb) oblatoj estas esenca materialo por larĝa gamo de alt-efikecaj aplikoj en la kampoj de elektroniko, optoelektroniko, kaj infraruĝaj teknologioj. Kun ilia bonega elektrona moviĝeblo, malalta spin-orbita kuplado kaj diversaj dopaj elektoj (Te por N-speco, Ge por P-tipo), InSb-oblatoj estas idealaj por uzo en aparatoj kiel infraruĝaj detektiloj, altrapidaj transistoroj, kvantumaj putaj aparatoj kaj spintronaj aparatoj.
La oblatoj estas haveblaj en diversaj grandecoj (2-cola, 3-cola, kaj 4-cola), kun preciza dikeco-kontrolo kaj epi-pretaj surfacoj, certigante ke ili plenumas la rigorajn postulojn de moderna semikonduktaĵfabrikado. Ĉi tiuj oblatoj estas perfektaj por aplikoj en kampoj kiel IR-detekto, altrapida elektroniko kaj THz-radiado, ebligante altnivelajn teknologiojn en esplorado, industrio kaj defendo.
Detala Diagramo
