Plafoj el india antimonido (InSb) tipo N tipo P tipo Epi pretaj nedopitaj kun Te-dopita aŭ Ge-dopita 2-colaj 3-colaj 4-colaj dikaj Plafoj el india antimonido (InSb)
Trajtoj
Dopaj Elektoj:
1. Sendopita:Ĉi tiuj oblatoj estas liberaj de iuj ajn dopantaj agentoj, igante ilin idealaj por specialigitaj aplikoj kiel ekzemple epitaksa kresko.
2.Te Dopita (N-Tipo):Telura (Te) dopado estas ofte uzata por krei N-tipajn oblatojn, kiuj estas idealaj por aplikoj kiel infraruĝaj detektiloj kaj altrapida elektroniko.
3.Ge Dopita (P-Tipo):Germaniuma (Ge) dopado estas uzata por krei P-tipajn oblatojn, ofertante altan truomoviĝeblon por progresintaj semikonduktaĵaj aplikoj.
Grandecaj Elektoj:
1. Disponeblaj en diametroj de 2-cola, 3-cola kaj 4-cola. Ĉi tiuj obleoj plenumas diversajn teknologiajn bezonojn, de esplorado kaj disvolviĝo ĝis grandskala fabrikado.
2. Precizaj diametraj tolerancoj certigas konsistencon tra aroj, kun diametroj de 50,8 ± 0,3 mm (por 2-colaj oblatoj) kaj 76,2 ± 0,3 mm (por 3-colaj oblatoj).
Dikeca Kontrolo:
1. La obletoj estas haveblaj kun dikeco de 500 ± 5 μm por optimuma funkciado en diversaj aplikoj.
2. Kromaj mezuroj kiel TTV (Totala Dikeca Variado), BOW kaj Warp estas zorge kontrolitaj por certigi altan homogenecon kaj kvaliton.
Surfaca Kvalito:
1. La obleoj venas kun polurita/gratita surfaco por plibonigita optika kaj elektra funkciado.
2. Ĉi tiuj surfacoj estas idealaj por epitaksia kresko, ofertante glatan bazon por plia prilaborado en alt-efikecaj aparatoj.
Epi-Preta:
1. La InSb-blatoj estas epi-pretaj, kio signifas, ke ili estas antaŭtraktitaj por epitaksiaj deponaj procezoj. Tio igas ilin idealaj por aplikoj en semikonduktaĵa fabrikado, kie epitaksiaj tavoloj devas esti kreskigitaj sur la blato.
Aplikoj
1. Infraruĝaj Detektiloj:InSb-blatoj estas ofte uzataj en infraruĝa (IR) detekto, precipe en la mez-ondolonga infraruĝa (MWIR) gamo. Ĉi tiuj blatoj estas esencaj por noktvidado, termika bildigo kaj infraruĝaj spektroskopiaj aplikoj.
2. Rapida Elektroniko:Pro ilia alta elektrona movebleco, InSb-oblatoj estas uzataj en altrapidaj elektronikaj aparatoj kiel altfrekvencaj transistoroj, kvantumputaj aparatoj, kaj alt-elektronaj moveblecaj transistoroj (HEMToj).
3. Kvantumaj Putaj Aparatoj:La mallarĝa bendbreĉo kaj bonega elektrona movebleco igas InSb-blatojn taŭgaj por uzo en kvantumputaj aparatoj. Ĉi tiuj aparatoj estas ŝlosilaj komponantoj en laseroj, detektiloj kaj aliaj optoelektronikaj sistemoj.
4. Spintronaj Aparatoj:InSb ankaŭ estas esplorata en spintronikaj aplikoj, kie elektrona spino estas uzata por informprilaborado. La malalta spino-orbita kuplado de la materialo igas ĝin ideala por ĉi tiuj alt-efikecaj aparatoj.
5. Aplikoj de Teraherca (THz) Radiado:Aparatoj bazitaj sur InSb estas uzataj en aplikoj de THz-radiado, inkluzive de scienca esplorado, bildigo kaj karakterizado de materialoj. Ili ebligas progresintajn teknologiojn kiel THz-spektroskopio kaj THz-bildigaj sistemoj.
6. Termoelektraj Aparatoj:La unikaj ecoj de InSb igas ĝin alloga materialo por termoelektraj aplikoj, kie ĝi povas esti uzata por efike konverti varmon en elektron, precipe en niĉaj aplikoj kiel spacteknologio aŭ elektroproduktado en ekstremaj medioj.
Produktaj Parametroj
| Parametro | 2-cola | 3-cola | 4-cola |
| Diametro | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | - |
| Dikeco | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Surfaco | Polurita/Gratita | Polurita/Gratita | Polurita/Gratita |
| Dopa Tipo | Nedopita, Te-dopita (N), Ge-dopita (P) | Nedopita, Te-dopita (N), Ge-dopita (P) | Nedopita, Te-dopita (N), Ge-dopita (P) |
| Orientiĝo | (100) | (100) | (100) |
| Pakaĵo | Unuopa | Unuopa | Unuopa |
| Epi-Preta | Jes | Jes | Jes |
Elektraj Parametroj por Te Dopita (N-Tipo):
- Moviĝeblo2000-5000 cm²/V·s
- Rezistiveco: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Difekta Denseco)≤2000 difektoj/cm²
Elektraj Parametroj por Ge Dopita (P-Tipo):
- Moviĝeblo4000-8000 cm²/V·s
- Rezistiveco: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (Difekta Denseco)≤2000 difektoj/cm²
Konkludo
Indio-antimonidaj (InSb) oblatetoj estas esenca materialo por vasta gamo da alt-efikecaj aplikoj en la kampoj de elektroniko, optoelektroniko kaj infraruĝaj teknologioj. Kun sia bonega elektrona movebleco, malalta spino-orbita kuplado kaj diversaj dopaj opcioj (Te por N-tipo, Ge por P-tipo), InSb-oblatetoj estas idealaj por uzo en aparatoj kiel infraruĝaj detektiloj, altrapidaj transistoroj, kvantumputaj aparatoj kaj spintronaj aparatoj.
La obletoj estas haveblaj en diversaj grandecoj (2-colaj, 3-colaj kaj 4-colaj), kun preciza dikeco-kontrolo kaj epi-pretaj surfacoj, certigante, ke ili plenumas la rigorajn postulojn de moderna duonkonduktaĵa fabrikado. Ĉi tiuj obletoj estas perfektaj por aplikoj en kampoj kiel IR-detekto, altrapida elektroniko kaj THz-radiado, ebligante progresintajn teknologiojn en esplorado, industrio kaj defendo.
Detala Diagramo
