12-cola Safira Oblato C-Ebeno SSP/DSP
Detala Diagramo
Safira Enkonduko
Safira silikplato estas unu-kristala substrata materialo farita el alt-pureca sinteza aluminio-oksido (Al₂O₃). Grandaj safiraj kristaloj estas kreskigitaj per progresintaj metodoj kiel la Kyropoulos (KY) aŭ la Varmointerŝanĝa Metodo (HEM), kaj poste prilaboritaj per tranĉado, orientiĝo, muelado kaj preciza polurado. Pro siaj esceptaj fizikaj, optikaj kaj kemiaj ecoj, safira silikplato ludas neanstataŭigeblan rolon en la kampoj de duonkonduktaĵoj, optoelektroniko kaj altkvalita konsumelektroniko.
Ĉefaj Safiraj Sintezaj Metodoj
| Metodo | Principo | Avantaĝoj | Ĉefaj Aplikoj |
|---|---|---|---|
| Verneuil-Metodo(Flama Fuzio) | Altpureca Al₂O₃-pulvoro estas fandita en oksihidrogena flamo, gutetoj solidiĝas tavolo post tavolo sur semo | Malalta kosto, alta efikeco, relative simpla procezo | Gemo-kvalitaj safiroj, fruaj optikaj materialoj |
| Metodo de Czochralski (CZ) | Al₂O₃ estas fandita en krisolo, kaj semkristalo estas malrapide tirata supren por kreskigi la kristalon. | Produktas relative grandajn kristalojn kun bona integreco | Laseraj kristaloj, optikaj fenestroj |
| Metodo Kyropoulos (KY) | Kontrolita malrapida malvarmigo permesas al la kristalo kreski iom post iom ene de la krisolo | Kapabla kreskigi grand-grandajn, malalt-streĉajn kristalojn (dekoj da kilogramoj aŭ pli) | LED-substratoj, inteligentaj telefono-ekranoj, optikaj komponantoj |
| HEM-Metodo(Varmointerŝanĝo) | Malvarmiĝo komenciĝas de la supro de la krisolo, kristaloj kreskas malsupren de la semo | Produktas tre grandajn kristalojn (ĝis centoj da kilogramoj) kun unuforma kvalito | Grandaj optikaj fenestroj, aerspaca, armea optiko |
Kristala Orientiĝo
| Orientiĝo / Ebeno | Miller-Indekso | Karakterizaĵoj | Ĉefaj Aplikoj |
|---|---|---|---|
| C-ebeno | (0001) | Perpendikulara al la c-akso, polusa surfaco, atomoj aranĝitaj unuforme | LED, laserdiodoj, GaN-epitaksaj substratoj (plej vaste uzataj) |
| A-aviadilo | (11-20) | Paralela al la c-akso, nepolusa surfaco, evitas polarizajn efikojn | Ne-polusa GaN-epitaksio, optoelektronikaj aparatoj |
| M-ebeno | (10-10) | Paralela al la c-akso, nepolusa, alta simetrio | Alt-efikeca GaN-epitaksio, optoelektronikaj aparatoj |
| R-ebeno | (1-102) | Klinita al la c-akso, bonegaj optikaj ecoj | Optikaj fenestroj, infraruĝaj detektiloj, laseraj komponantoj |
Specifo de Safira Oblato (Personigebla)
| Ero | 1-cola C-ebeno (0001) 430μm Safiraj Obleoj | |
| Kristalaj Materialoj | 99,999%, Alta Pureco, Monokristala Al2O3 | |
| Grado | Ĉefa, Epi-Preta | |
| Surfaca Orientiĝo | C-ebeno(0001) | |
| C-ebeno ekster angulo rilate al M-akso 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametro | 25,4 milimetroj +/- 0,1 milimetroj | |
| Dikeco | 430 μm +/- 25 μm | |
| Ununura Flanko Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (SSP) | Malantaŭa surfaco | Fajna muelado, Ra = 0,8 μm ĝis 1,2 μm |
| Duobla Flanka Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (DSP) | Malantaŭa surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| TTV | < 5 μm | |
| ARKO | < 5 μm | |
| VARPO | < 5 μm | |
| Purigado / Pakado | Purigado de puraj ĉambroj kaj vakua pakado de klaso 100, | |
| 25 pecoj en unu kaseda pakaĵo aŭ unuopa pakaĵo. | ||
| Ero | 2-colaj C-ebeno (0001) 430μm Safiraj Obleoj | |
| Kristalaj Materialoj | 99,999%, Alta Pureco, Monokristala Al2O3 | |
| Grado | Ĉefa, Epi-Preta | |
| Surfaca Orientiĝo | C-ebeno(0001) | |
| C-ebeno ekster angulo rilate al M-akso 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametro | 50,8 milimetroj +/- 0,1 milimetroj | |
| Dikeco | 430 μm +/- 25 μm | |
| Primara Plata Orientiĝo | A-ebeno (11-20) +/- 0,2° | |
| Primara Plata Longo | 16.0 milimetroj +/- 1.0 milimetroj | |
| Ununura Flanko Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (SSP) | Malantaŭa surfaco | Fajna muelado, Ra = 0,8 μm ĝis 1,2 μm |
| Duobla Flanka Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (DSP) | Malantaŭa surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| TTV | < 10 μm | |
| ARKO | < 10 μm | |
| VARPO | < 10 μm | |
| Purigado / Pakado | Purigado de puraj ĉambroj kaj vakua pakado de klaso 100, | |
| 25 pecoj en unu kaseda pakaĵo aŭ unuopa pakaĵo. | ||
| Ero | 3-colaj C-ebeno (0001) 500μm Safiraj Obleoj | |
| Kristalaj Materialoj | 99,999%, Alta Pureco, Monokristala Al2O3 | |
| Grado | Ĉefa, Epi-Preta | |
| Surfaca Orientiĝo | C-ebeno(0001) | |
| C-ebeno ekster angulo rilate al M-akso 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametro | 76,2 milimetroj +/- 0,1 milimetroj | |
| Dikeco | 500 μm +/- 25 μm | |
| Primara Plata Orientiĝo | A-ebeno (11-20) +/- 0,2° | |
| Primara Plata Longo | 22.0 milimetroj +/- 1.0 milimetroj | |
| Ununura Flanko Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (SSP) | Malantaŭa surfaco | Fajna muelado, Ra = 0,8 μm ĝis 1,2 μm |
| Duobla Flanka Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (DSP) | Malantaŭa surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| TTV | < 15 μm | |
| ARKO | < 15 μm | |
| VARPO | < 15 μm | |
| Purigado / Pakado | Purigado de puraj ĉambroj kaj vakua pakado de klaso 100, | |
| 25 pecoj en unu kaseda pakaĵo aŭ unuopa pakaĵo. | ||
| Ero | 4-colaj C-ebeno (0001) 650μm Safiraj Obleoj | |
| Kristalaj Materialoj | 99,999%, Alta Pureco, Monokristala Al2O3 | |
| Grado | Ĉefa, Epi-Preta | |
| Surfaca Orientiĝo | C-ebeno(0001) | |
| C-ebeno ekster angulo rilate al M-akso 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametro | 100.0 milimetroj +/- 0.1 milimetroj | |
| Dikeco | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primara Plata Orientiĝo | A-ebeno (11-20) +/- 0,2° | |
| Primara Plata Longo | 30.0 milimetroj +/- 1.0 milimetroj | |
| Ununura Flanko Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (SSP) | Malantaŭa surfaco | Fajna muelado, Ra = 0,8 μm ĝis 1,2 μm |
| Duobla Flanka Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (DSP) | Malantaŭa surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| ARKO | < 20 μm | |
| VARPO | < 20 μm | |
| Purigado / Pakado | Purigado de puraj ĉambroj kaj vakua pakado de klaso 100, | |
| 25 pecoj en unu kaseda pakaĵo aŭ unuopa pakaĵo. | ||
| Ero | 6-colaj C-ebeno (0001) 1300μm Safiraj Obleoj | |
| Kristalaj Materialoj | 99,999%, Alta Pureco, Monokristala Al2O3 | |
| Grado | Ĉefa, Epi-Preta | |
| Surfaca Orientiĝo | C-ebeno(0001) | |
| C-ebeno ekster angulo rilate al M-akso 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametro | 150.0 milimetroj +/- 0.2 milimetroj | |
| Dikeco | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Primara Plata Orientiĝo | A-ebeno (11-20) +/- 0,2° | |
| Primara Plata Longo | 47.0 milimetroj +/- 1.0 milimetroj | |
| Ununura Flanko Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (SSP) | Malantaŭa surfaco | Fajna muelado, Ra = 0,8 μm ĝis 1,2 μm |
| Duobla Flanka Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (DSP) | Malantaŭa surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| TTV | < 25 μm | |
| ARKO | < 25 μm | |
| VARPO | < 25 μm | |
| Purigado / Pakado | Purigado de puraj ĉambroj kaj vakua pakado de klaso 100, | |
| 25 pecoj en unu kaseda pakaĵo aŭ unuopa pakaĵo. | ||
| Ero | 8-colaj C-ebeno (0001) 1300μm Safiraj Obleoj | |
| Kristalaj Materialoj | 99,999%, Alta Pureco, Monokristala Al2O3 | |
| Grado | Ĉefa, Epi-Preta | |
| Surfaca Orientiĝo | C-ebeno(0001) | |
| C-ebeno ekster angulo rilate al M-akso 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametro | 200.0 milimetroj +/- 0.2 milimetroj | |
| Dikeco | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Ununura Flanko Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (SSP) | Malantaŭa surfaco | Fajna muelado, Ra = 0,8 μm ĝis 1,2 μm |
| Duobla Flanka Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (DSP) | Malantaŭa surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| TTV | < 30 μm | |
| ARKO | < 30 μm | |
| VARPO | < 30 μm | |
| Purigado / Pakado | Purigado de puraj ĉambroj kaj vakua pakado de klaso 100, | |
| Unupeca pakaĵo. | ||
| Ero | 12-colaj C-ebeno (0001) 1300μm Safiraj Obleoj | |
| Kristalaj Materialoj | 99,999%, Alta Pureco, Monokristala Al2O3 | |
| Grado | Ĉefa, Epi-Preta | |
| Surfaca Orientiĝo | C-ebeno(0001) | |
| C-ebeno ekster angulo rilate al M-akso 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametro | 300.0 milimetroj +/- 0.2 milimetroj | |
| Dikeco | 3000 μm +/- 25 μm | |
| Ununura Flanko Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (SSP) | Malantaŭa surfaco | Fajna muelado, Ra = 0,8 μm ĝis 1,2 μm |
| Duobla Flanka Polurita | Fronta Surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| (DSP) | Malantaŭa surfaco | Epi-polurita, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
| TTV | < 30 μm | |
| ARKO | < 30 μm | |
| VARPO | < 30 μm | |
Safira Oblato Produktada Procezo
-
Kristala Kresko
-
Kreskigu safirbluajn globetojn (100–400 kg) uzante la metodon Kyropoulos (KY) en dediĉitaj kristalkreskigaj fornoj.
-
-
Orbrika Borado kaj Formado
-
Uzu borilbarelon por prilabori la globon en cilindrajn orbrikojn kun diametroj de 2-6 coloj kaj longoj de 50-200 mm.
-
-
Unua Kalcinado
-
Inspektu la orbrikojn por difektoj kaj faru la unuan alt-temperaturan kalcinadon por malpezigi internan streĉon.
-
-
Kristala Orientiĝo
-
Determinu la precizan orientiĝon de la safira orbriko (ekz., C-ebeno, A-ebeno, R-ebeno) uzante orientigajn instrumentojn.
-
-
Plur-drata segiltranĉado
-
Tranĉu la orbrikon en maldikajn oblatojn laŭ la bezonata dikeco uzante plurdratan tranĉekipaĵon.
-
-
Komenca Inspektado kaj Dua Kalcinado
-
Inspektu la ĵus tranĉitajn oblatojn (dikeco, plateco, surfacaj difektoj).
-
Rekomencu la kalcinadon se necese por plue plibonigi la kristalan kvaliton.
-
-
Ŝanfrado, Muelado kaj CMP-Polurado
-
Elfari beveladon, surfacan mueladon kaj kemian mekanikan poluradon (CMP) per speciala ekipaĵo por atingi spegulkvalitajn surfacojn.
-
-
Purigado
-
Purigu oblatojn plene uzante ultra-puran akvon kaj kemiaĵojn en puraĉambra medio por forigi partiklojn kaj poluaĵojn.
-
-
Optika kaj Fizika Inspektado
-
Faru transmitancan detekton kaj registru optikajn datumojn.
-
Mezuru oblatajn parametrojn inkluzive de TTV (Totala Dikeca Vario), Kurbiĝo, Varpiĝo, orientiĝa precizeco kaj surfaca malglateco.
-
-
Tegaĵo (laŭvola)
-
Apliku tegaĵojn (ekz., AR-tegaĵojn, protektajn tavolojn) laŭ klientaj specifoj.
-
Fina Inspektado kaj Pakado
-
Plenumu 100%-an kvalitan inspektadon en pura ĉambro.
-
Paku oblatojn en kasedajn skatolojn sub puraj kondiĉoj de Klaso 100 kaj vakue sigelu ilin antaŭ sendo.
Aplikoj de Safiraj Oblatoj
Safiraj obleoj, kun sia escepta malmoleco, elstara optika transmitanco, bonega termika funkciado kaj elektra izolado, estas vaste aplikataj en multaj industrioj. Iliaj aplikoj ne nur kovras tradiciajn LED- kaj optoelektronikaj industriojn, sed ankaŭ ekspansiiĝas en duonkonduktaĵojn, konsumelektronikon kaj progresintajn aerspacajn kaj defendajn kampojn.
1. Duonkonduktaĵoj kaj Optoelektroniko
LED-Substratoj
Safirbluaj oblatoj estas la primaraj substratoj por galiumnitrida (GaN) epitaksa kresko, vaste uzata en bluaj LED-oj, blankaj LED-oj, kaj Mini/Mikro LED-teknologioj.
Laserdiodoj (LDoj)
Kiel substratoj por GaN-bazitaj laserdiodoj, safirbluaj oblatoj subtenas la disvolvon de altpotencaj, longdaŭraj laseraparatoj.
Fotodetektiloj
En ultraviolaj kaj infraruĝaj fotodetektiloj, safirbluaj oblatoj ofte estas uzataj kiel travideblaj fenestroj kaj izolaj substratoj.
2. Duonkonduktaĵaj Aparatoj
RFIC-oj (Radiofrekvencaj Integraj Cirkvitoj)
Dank'al ilia bonega elektra izolado, safirblaj oblatoj estas idealaj substratoj por altfrekvencaj kaj altpotencaj mikroondaj aparatoj.
Silicio-sur-Safiro (SoS) Teknologio
Aplikante SoS-teknologion, parazita kapacitanco povas esti multe reduktita, plibonigante cirkvitan rendimenton. Ĉi tio estas vaste uzata en RF-komunikadoj kaj aerspaca elektroniko.
3. Optikaj Aplikoj
Infraruĝaj Optikaj Fenestroj
Kun alta transmitanco en la ondolonga gamo de 200 nm ĝis 5000 nm, safiro estas vaste uzata en infraruĝaj detektiloj kaj infraruĝaj gvidsistemoj.
Alt-Potencaj Laseraj Fenestroj
La malmoleco kaj termika rezisto de safiro igas ĝin bonega materialo por protektaj fenestroj kaj lensoj en altpotencaj lasersistemoj.
4. Konsumelektroniko
Kovriloj de Fotilaj Lensoj
La alta malmoleco de safiro certigas gratreziston por inteligentaj telefonoj kaj fotillensoj.
Fingrospuraj Sensiloj
Safirbluaj obleoj povas servi kiel daŭremaj, travideblaj kovriloj, kiuj plibonigas precizecon kaj fidindecon en fingrospurrekono.
Inteligentaj horloĝoj kaj altkvalitaj ekranoj
Safirbluaj ekranoj kombinas gratvundreziston kun alta optika klareco, igante ilin popularaj en altkvalitaj elektronikaj produktoj.
5. Aerospaco kaj Defendo
Misilaj Infraruĝaj Kupoloj
Safirkoloraj fenestroj restas travideblaj kaj stabilaj sub altaj temperaturoj kaj altrapidaj kondiĉoj.
Aerospacaj Optikaj Sistemoj
Ili estas uzataj en alt-fortaj optikaj fenestroj kaj observadekipaĵo desegnita por ekstremaj medioj.
Aliaj Oftaj Safiraj Produktoj
Optikaj Produktoj
-
Safiraj Optikaj Fenestroj
-
Uzata en laseroj, spektrometroj, infraruĝaj bildigaj sistemoj, kaj sensilfenestroj.
-
Transdona gamo:UV 150 nm ĝis meza-IR 5.5 μm.
-
-
Safiraj Lensoj
-
Aplikata en altpotencaj lasersistemoj kaj aerspaca optiko.
-
Povas esti fabrikitaj kiel konveksaj, konkavaj aŭ cilindraj lensoj.
-
-
Safiraj Prismoj
-
Uzata en optikaj mezurinstrumentoj kaj precizaj bildigaj sistemoj.
-
Aerospaco kaj Defendo
-
Safirbluaj Kupoloj
-
Protektu infraruĝajn serĉilojn en misiloj, senpilotaj aviadiloj kaj aviadiloj.
-
-
Safiraj Protektaj Kovriloj
-
Eltenu la efikon de altrapida aerfluo kaj severajn mediojn.
-
Produkta Pakado
Pri XINKEHUI
Ŝanhaja Xinkehui Nova Materiala Kompanio, Ltd. estas unu el laplej granda provizanto de optikaj kaj duonkonduktaĵoj en Ĉinio, fondita en 2002. XKH estis evoluigita por provizi akademiajn esploristojn per oblatoj kaj aliaj duonkonduktaĵ-rilataj sciencaj materialoj kaj servoj. Duonkonduktaĵaj materialoj estas nia ĉefa kerna komerco, nia teamo baziĝas sur teĥnikeco, ekde sia fondiĝo, XKH estas profunde engaĝita en la esplorado kaj evoluigo de progresintaj elektronikaj materialoj, precipe en la kampo de diversaj oblatoj/substratoj.
Partneroj
Kun sia bonega teknologio pri duonkonduktaĵaj materialoj, Ŝanhaja Zhimingxin fariĝis fidinda partnero de la plej gravaj kompanioj kaj konataj akademiaj institucioj de la mondo. Kun sia persisto en novigado kaj plejboneco, Zhimingxin establis profundajn kunlaborajn rilatojn kun industriaj gvidantoj kiel Schott Glass, Corning kaj Seoul Semiconductor. Ĉi tiuj kunlaboroj ne nur plibonigis la teknikan nivelon de niaj produktoj, sed ankaŭ antaŭenigis teknologian disvolviĝon en la kampoj de potencelektroniko, optoelektronikaj aparatoj kaj duonkonduktaĵaj aparatoj.
Aldone al kunlaboro kun konataj kompanioj, Zhimingxin ankaŭ establis longdaŭrajn esplorajn kunlaborajn rilatojn kun ĉefaj universitatoj tra la mondo, kiel ekzemple Universitato Harvard, University College London (UCL) kaj la Universitato de Houston. Per ĉi tiuj kunlaboroj, Zhimingxin ne nur provizas teknikan subtenon por sciencaj esplorprojektoj en la akademia mondo, sed ankaŭ partoprenas en la disvolviĝo de novaj materialoj kaj teknologia novigado, certigante, ke ni ĉiam estas ĉe la avangardo de la duonkonduktaĵa industrio.
Per proksima kunlaboro kun ĉi tiuj mondfamaj kompanioj kaj akademiaj institucioj, Ŝanhaja Zhimingxin daŭre antaŭenigas teknologian novigadon kaj disvolviĝon, provizante mondklasajn produktojn kaj solvojn por kontentigi la kreskantajn bezonojn de la tutmonda merkato.
