50.8mm/100mm AlN-Ŝablono sur NPSS/FSS AlN-ŝablono sur safiro

Mallonga Priskribo:

AlN-On-Sapphire rilatas al kombinaĵo de materialoj en kiuj aluminionitruraj filmoj estas kultivitaj sur Sapphire-substratoj. En ĉi tiu strukturo, altkvalita aluminia nitruda filmo povas esti kultivita per kemia vapora demetado (CVD) aŭ organometrika kemia vapora demetado (MOCVD), kio faras la aluminian nitruran filmon kaj safiran substraton havi bonan kombinaĵon. La avantaĝoj de ĉi tiu strukturo estas, ke nitruro de aluminio havas altan termikan konduktivecon, altan kemian stabilecon kaj bonegajn optikajn ecojn, dum safira substrato havas bonegajn mekanikajn kaj termikajn ecojn kaj travideblecon.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

AlN-Sur-Safiro

AlN-On-Sapphire povas esti uzata por fari diversajn fotoelektrajn aparatojn, kiel ekzemple:
1. LED-blatoj: LED-blatoj estas kutime faritaj el aluminiaj nitruraj filmoj kaj aliaj materialoj. La efikeco kaj stabileco de leds povas esti plibonigitaj uzante AlN-On-Sapphire-oblatojn kiel la substraton de LED-blatoj.
2. Laseroj: AlN-On-Sapphire-oblatoj ankaŭ povas esti uzataj kiel substratoj por laseroj, kiuj estas kutime uzataj en medicina, komunikado kaj prilaborado de materialoj.
3. Sunĉeloj: La fabrikado de sunaj ĉeloj postulas la uzon de materialoj kiel nitruro de aluminio. AlN-On-Sapphire kiel substrato povas plibonigi la efikecon kaj vivon de sunĉeloj.
4. Aliaj optoelektronikaj aparatoj: AlN-On-Sapphire oblatoj ankaŭ povas esti uzataj por fabriki fotodetektilojn, optoelektronikaj aparatoj kaj aliaj optoelektronikaj aparatoj.

Konklude, la oblatoj de AlN-On-Sapphire estas vaste uzataj en la opto-elektra kampo pro sia alta varmokondukteco, alta kemia stabileco, malalta perdo kaj bonegaj optikaj propraĵoj.

50.8mm/100mm AlN Ŝablono sur NPSS/FSS

Ero	Rimarkoj
Priskribo	AlN-on-NPSS ŝablono	AlN-on-FSS ŝablono
Diametro de oblato	50.8mm, 100mm
Substrato	c-ebeno NPSS	c-aviadilo Planar Sapphire (FSS)
Substrato dikeco	50.8mm, 100mmc-ebena Planara Safiro (FSS) 100mm : 650 um
Dikeco de AIN epi-tavolo	3~4 um (celo: 3.3um)
Kondukto	Izola
Surfaco	Kiel plenkreska
	RMS < 1 nm	RMS < 2 nm
Malantaŭa flanko	Muelita
FWHM(002)XRC	< 150 arseksek	< 150 arseksek
FWHM(102)XRC	< 300 arseksek	< 300 arseksek
Rando Ekskludo	< 2 mm	< 3 mm
Primara plata orientiĝo	a-ebeno+0,1°
Primara plata longo	50.8mm: 16+/-1 mm 100mm: 30+/-1 mm
Pako	Pakita en senda skatolo aŭ unuobla ujo