2 coloj Silicikarburaj Oblatoj 6H aŭ 4H N-tipaj aŭ Duonizolaj SiC Substratoj

Mallonga Priskribo:

Siliciokarbido (Tankeblue SiC-oblatoj), ankaŭ konata kiel karborundum, estas duonkonduktaĵo enhavanta silicion kaj karbonon kun kemia formulo SiC. SiC estas uzata en duonkonduktaĵaj elektronikaj aparatoj, kiuj funkcias ĉe altaj temperaturoj aŭ altaj tensioj, aŭ ambaŭ. SiC ankaŭ estas unu el la gravaj LED-komponentoj, ĝi estas populara substrato por kreskigado de GaN-aparatoj, kaj ĝi ankaŭ servas kiel varmodisvastigilo en alta- potencaj LEDoj.


Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Rekomenditaj Produktoj

4H SiC-oblato N-tipo
Diametro: 2 coloj 50.8mm | 4 coloj 100mm | 6 coloj 150 mm
Orientiĝo: ekster akso 4.0˚ al <1120> ± 0.5˚
Rezistivo: < 0.1 ohm.cm
Malglateco: Si-vizaĝa CMP Ra <0.5nm, C-vizaĝa optika polura Ra <1 nm

4H SiC oblato Semi-izola
Diametro: 2 coloj 50.8mm | 4 coloj 100mm | 6 coloj 150 mm
Orientiĝo: sur akso {0001} ± 0,25˚
Rezistivo: >1E5 ohm.cm
Malglateco: Si-vizaĝa CMP Ra <0.5nm, C-vizaĝa optika polura Ra <1 nm

1. 5G infrastrukturo - komunika nutrado.
Komunika elektroprovizo estas la energibazo por servilo kaj bazstacio komunikado. Ĝi provizas elektran energion por diversaj transmisiaj ekipaĵoj por certigi la normalan funkciadon de komunika sistemo.

2. Ŝarga amaso de novaj energiaj veturiloj -- potenca modulo de ŝarga amaso.
La alta efikeco kaj alta potenco de la ŝarga stako-potenca modulo povas esti realigitaj per uzado de silicio-karbido en la ŝarga staka potenco-modulo, por plibonigi la ŝargan rapidon kaj redukti la ŝargan koston.

3. Granda datumcentro, Industria Interreto -- servila nutrado.
La servila elektroprovizo estas la servila energibiblioteko. La servilo provizas potencon por certigi la normalan funkciadon de la servila sistemo. La uzo de siliciokarburaj potencaj komponantoj en la servila nutrado povas plibonigi la potencan densecon kaj efikecon de la servila nutrado, redukti la volumon de la datumcentro entute, redukti la ĝeneralan konstrukoston de la datumcentro kaj atingi pli altan median. efikeco.

4. Uhv - Apliko de fleksebla transsendo DC disyuniloj.

5. Interurba altrapida fervojo kaj interurba fervoja trafiko -- tiradaj konvertiloj, elektraj elektronikaj transformiloj, helpaj transformiloj, helpaj elektroprovizoj.

Parametro

Propraĵoj unuo Silicio SiC GaN
Bandgap larĝa eV 1.12 3.26 3.41
Kampo de rompo MV/cm 0.23 2.2 3.3
Elektrona movebleco cm^2/Vs 1400 950 1500
Driva rapideco 10^7 cm/s 1 2.7 2.5
Termika kondukteco W/cmK 1.5 3.8 1.3

Detala Diagramo

2 coloj Siliciaj Karburaj Oblatoj 6H aŭ 4H N-tipo4
2 coloj Siliciaj Karburaj Oblatoj 6H aŭ 4H N-tipo5
2 coloj Silicon Carbide Wafers 6H aŭ 4H N-tipo6
2 coloj Siliciaj Karburaj Oblatoj 6H aŭ 4H N-tipo7

  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni