2 coloj 4 coloj 6 coloj ŝablonitaj safira substrato (PSS) sur kiuj GaN -materialo estas kreskigita povas uzi por LED -lumigado

2 coloj 4 coloj 6 coloj ŝablonita safira substrato (PSS) sur kiu GaN -materialo estas kreskigita povas uzi por LED -lumigado prezentita bildo

Mallonga Priskribo:

Patterned sapphire substrate (PSS) is a mask for dry etching on the sapphire substrate, the mask is engraved with a pattern by standard lithography process, and then the sapphire is etched by ICP etching technology, and the mask is removed, and finally GaN material is grown on it, so that the longitudinal epitaxy of GaN material becomes horizontal epitaxy. Ĉi tiu procezo implikas plurajn paŝojn kiel fotorezista tegaĵo, ekspozicio al paŝo, disvolvado de ekspozicia ŝablono, ICP -seka gravuraĵo kaj purigado.

Sendu retpoŝton al ni

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Ĉefaj Trajtoj

1. Strukturaj Karakterizaĵoj:
La PSS -surfaco havas ordan konuson aŭ triangulan konusan padronon, kies formo, grandeco kaj distribuo povas esti kontrolitaj per ĝustigo de la akciaj procezaj parametroj.
Ĉi tiuj grafikaj strukturoj helpas ŝanĝi la disvastigan vojon de lumo kaj redukti la tutan reflektadon de lumo, tiel plibonigante la efikecon de malpeza eltiro.

2. Materialaj Karakterizaĵoj:
PSS uzas altkvalitan safiron kiel la substratan materialon, kiu havas la karakterizaĵojn de alta malmoleco, alta termika konduktiveco, bona kemia stabileco kaj optika travidebleco.
Ĉi tiuj trajtoj ebligas PSS rezisti severajn mediojn kiel altaj temperaturoj kaj premoj konservante bonegan optikan agadon.

3. Optika agado:
Ŝanĝante la multoblan disĵetadon ĉe la interfaco inter GaN kaj Safira substrato, PSS igas la fotonojn tute reflektitajn en GaN -tavolo havas eblecon eskapi de safira substrato.
Ĉi tiu funkcio signife plibonigas la luman eltiran efikecon de la LED kaj plibonigas la luman intensecon de la LED.

4. Procezaj Karakterizaĵoj:
La fabrikada procezo de PSS estas relative kompleksa, implikante multoblajn paŝojn kiel litografio kaj gravuraĵo, kaj postulas alt-precizan ekipaĵon kaj procezan kontrolon.
Tamen, kun la kontinua progresado de teknologio kaj redukto de kostoj, la fabrikada procezo de PSS estas iom post iom optimumigita kaj plibonigita.

Kerna Avantaĝo

1. Plibonigu luman eltiran efikecon: PSS signife plibonigas la luman eltiran efikecon de LED ŝanĝante la luman disvastigan vojon kaj reduktante totalan reflektadon.

2.Prolonga LED-vivo: PSS povas redukti la dislokan densecon de GaN-epitaksaj materialoj, tiel reduktante la ne-radiativan rekombiniĝon kaj inversan fugaĵon en la aktiva regiono, plilongigante la vivon de LED.

3. Plibonigu LED -brilon: Pro la plibonigo de malpeza eltira efikeco kaj la plilongigo de LED -vivo, la LED -hela intenseco sur la PSS estas signife plibonigita.

4. Reduktaj produktokostoj: Kvankam la fabrikada procezo de PSS estas relative kompleksa, ĝi povas signife plibonigi la luman efikecon kaj vivon de LED, tiel reduktante produktokostojn en iu mezuro kaj plibonigante la konkurencivon de la produkto.

Ĉefaj Aplikaj Areoj

1. LED -lumigado: PSS kiel substratmaterialo por LED -blatoj, povas signife plibonigi la luman efikecon kaj vivon de LED.
En la kampo de LED -lumigado, PSS estas vaste uzata en diversaj lumaj produktoj, kiel strataj lampoj, tablotukoj, aŭtoj -lumoj kaj tiel plu.

2.Semiconductor -aparatoj: Krom LED -lumigado, PSS ankaŭ povas esti uzata por fabriki aliajn duonkonduktaĵojn, kiel malpezaj detektiloj, laseroj, ktp. Ĉi tiuj aparatoj havas ampleksan gamon de aplikoj en komunikado, medicinaj, militaj kaj aliaj kampoj.

3.Optoelektronika Integriĝo: La optikaj proprietoj kaj stabileco de PSS igas ĝin unu el la idealaj materialoj en la kampo de optoelektronika integriĝo. En optoelektronika integriĝo, PSS povas esti uzata por fari optikajn ondajn gvidilojn, optikajn ŝaltilojn kaj aliajn komponentojn por realigi la translokigon kaj pretigon de optikaj signaloj.

Teknikaj parametroj

Ero	Ŝablona safira substrato (2 ~ 6 -cola)
Diametro	50,8 ± 0,1 mm	100,0 ± 0,2 mm	150,0 ± 0,3 mm
Dikeco	430 ± 25μm	650 ± 25μm	1000 ± 25μm
Surfaca orientiĝo	C-ebeno (0001) ekster-angula direkte al M-akso (10-10) 0,2 ± 0,1 °
	C-ebeno (0001) ekster-angula al A-akso (11-20) 0 ± 0.1 °
Primara plata orientiĝo	A-Plane (11-20) ± 1.0 °
Primara plata longo	16,0 ± 1,0 mm	30,0 ± 1,0 mm	47,5 ± 2,0 mm
R-Plane	9-O'Clock
Antaŭa surfaca finaĵo	Ŝablonita
Malantaŭa surfaca finaĵo	SSP: fajna tero, RA = 0,8-1,2um; DSP: Epi-polurita, RA <0.3nm
Lasera Marko	Malantaŭa flanko
TTV	≤8μm	≤10μm	≤20μm
BOW	≤10μm	≤15μm	≤25μm
Warp	≤12μm	≤20μm	≤30μm
Randa ekskludo	≤2 mm
Ŝablona specifo	Forma Strukturo	Kupolo, konuso, piramido
	Ŝablona alteco	1,6 ~ 1,8μm
	Ŝablona diametro	2,75 ~ 2,85μm
	Ŝablona spaco	0,1 ~ 0,3μm

XKH fokusas pri la disvolviĝo, produktado kaj vendado de ŝablona safira substrato (PSS), kaj kompromitas provizi altkvalitajn altkvalitajn PSS-produktojn al klientoj tra la mondo. XKH havas altnivelan fabrikan teknologion kaj profesian teknikan teamon, kiu povas agordi PSS -produktojn kun malsamaj specifaĵoj kaj malsamaj ŝablonaj strukturoj laŭ klientaj bezonoj. Samtempe XKH atentas pri produkta kvalito kaj serva kvalito, kaj kompromitas provizi klientojn kun plena gamo da teknikaj subtenoj kaj solvoj. En la kampo de PSS, XKH amasigis riĉan sperton kaj avantaĝojn, kaj antaŭĝojas kunlabori kun tutmondaj partneroj por kune antaŭenigi la novigan disvolviĝon de LED -lumigado, semikonduktaĵaj aparatoj kaj aliaj industrioj.