Enhavtabelo
1. Kernaj Celoj kaj Graveco de Vafle-Purigado
2. Takso de Poluado kaj Altnivelaj Analizaj Teknikoj
3. Altnivelaj Purigaj Metodoj kaj Teknikaj Principoj
4. Esencaĵoj pri Teknika Efektivigo kaj Procesregado
5. Estontaj Tendencoj kaj Novigaj Direktoj
6. XKH Fin-al-finaj Solvoj kaj Servo-Ekosistemo
Purigado de obletoj estas kritika procezo en fabrikado de semikonduktaĵoj, ĉar eĉ atomnivelaj poluaĵoj povas degradi la rendimenton aŭ rendimenton de aparatoj. La purigado tipe implikas plurajn paŝojn por forigi diversajn poluaĵojn, kiel organikajn restaĵojn, metalajn malpuraĵojn, partiklojn kaj indiĝenajn oksidojn.
1. Celoj de Vafla Purigado
- Forigu organikajn poluaĵojn (ekz., fotorezistajn restaĵojn, fingrospurojn).
- Forigu metalajn malpuraĵojn (ekz., Fe, Cu, Ni).
- Forigu partiklan poluadon (ekz. polvon, siliciajn fragmentojn).
- Forigu indiĝenajn oksidojn (ekz., tavolojn de SiO₂ formitajn dum aereksponiĝo).
2. Graveco de Rigora Purigado de Obleoj
- Certigas altan rendimenton de la procezo kaj rendimenton de la aparato.
- Reduktas difektojn kaj oftecon de forĵeto de oblatetoj.
- Plibonigas la surfacan kvaliton kaj konsistencon.
Antaŭ intensa purigado, estas esence taksi ekzistantan surfacan poluadon. Kompreni la tipon, grandecdistribuon kaj spacan aranĝon de poluaĵoj sur la surfaco de la obleto optimumigas purigan kemion kaj mekanikan energian eniron.
3. Altnivelaj Analizaj Teknikoj por Takso de Poluado
3.1 Analizo de Surfacaj Partikloj
- Specialigitaj partiklokalkuliloj uzas laseran disĵeton aŭ komputilan vizion por kalkuli, mezuri kaj mapi surfacajn derompaĵojn.
- Lumdisĵeta intenseco korelacias kun partiklaj grandecoj tiel malgrandaj kiel dekoj da nanometroj kaj densecoj tiel malaltaj kiel 0.1 partikloj/cm².
- Kalibrado per normoj certigas fidindecon de la aparataro. Antaŭ- kaj post-purigaj skanadoj validigas la efikecon de forigo, antaŭenigante plibonigojn de la procezo.
3.2 Elementa Surfaca Analizo
- Surfac-sentemaj teknikoj identigas elementan konsiston.
- Rentgen-Fotoelektrona Spektroskopio (XPS/ESCA): Analizas surfacajn kemiajn statojn per surradiado de la oblato per rentgenradioj kaj mezurado de elsenditaj elektronoj.
- Spektroskopio de Optika Emisio per Brilo-Malŝarĝo (GD-OES): Ŝprucas ultra-maldikajn surfacajn tavolojn sinsekve dum analizado de elsenditaj spektroj por determini profundo-dependan elementan konsiston.
- Detektolimoj atingas partojn po miliono (ppm), gvidante la elekton de optimuma purigadkemio.
3.3 Analizo de Morfologia Poluado
- Skananta Elektrona Mikroskopio (SEM): Kaptas alt-rezoluciajn bildojn por riveli formojn kaj bildformatojn de poluaĵoj, indikante adhermekanismojn (kemiajn kontraŭ mekanikajn).
- Atomforta Mikroskopio (AFM): Mapas nanoskalan topografion por kvantigi partiklan altecon kaj mekanikajn ecojn.
- Fokusita Jona Trabo (FIB) Muelado + Transmisia Elektrona Mikroskopio (TEM): Provizas internajn vidojn de enterigitaj poluaĵoj.
4. Altnivelaj Purigaj Metodoj
Dum solventa purigado efike forigas organikajn poluaĵojn, pliaj progresintaj teknikoj estas necesaj por neorganikaj partikloj, metalaj restaĵoj kaj jonaj poluaĵoj:
4.1 RCA Purigado
- Evoluigita de RCA Laboratorioj, ĉi tiu metodo uzas duoblan banprocezon por forigi polusajn poluaĵojn.
- SC-1 (Norma Purigado-1): Forigas organikajn poluaĵojn kaj partiklojn uzante miksaĵon de NH₄OH, H₂O₂, kaj H₂O (ekz., proporcio 1:1:5 je ~20°C). Formas maldikan tavolon de silicia dioksido.
- SC-2 (Norma Purigado-2): Forigas metalajn malpuraĵojn uzante HCl, H₂O₂, kaj H₂O (ekz., proporcio 1:1:6 je ~80°C). Lasas pasivigitan surfacon.
- Ekvilibra pureco kun surfaca protekto.
4.2 Ozona Purigado
- Mergas oblatojn en ozon-saturitan dejonigitan akvon (O₃/H₂O).
- Efike oksidigas kaj forigas organikaĵojn sen difekti la oblaton, lasante kemie pasivigitan surfacon.
4.3 Megasona Purigado
- Utiligas altfrekvencan ultrasonan energion (tipe 750–900 kHz) kunligitan kun purigaj solvaĵoj.
- Generas kavitaciajn vezikojn, kiuj forigas poluaĵojn. Penetras kompleksajn geometriojn, minimumigante damaĝon al delikataj strukturoj.
4.4 Kriogena purigado
- Rapide malvarmigas oblatojn ĝis kriogenaj temperaturoj, fragiligante poluaĵojn.
- Posta ellavado aŭ milda brosado forigas loziĝintajn partiklojn. Malhelpas repoluadon kaj difuzon en la surfacon.
- Rapida, seka procezo kun minimuma kemia uzado.
Konkludo:
Kiel ĉefa provizanto de plenĉenaj duonkonduktaĵaj solvoj, XKH estas movata de teknologia novigado kaj klientaj bezonoj liveri kompletan servekosistemon ampleksantan altkvalitan ekipaĵprovizon, fabrikadon de vaflatoj kaj precizan purigadon. Ni ne nur provizas internacie agnoskitan duonkonduktaĵan ekipaĵon (ekz. litografiajn maŝinojn, gravurajn sistemojn) kun tajloritaj solvoj, sed ankaŭ pioniraj proprietaj teknologioj - inkluzive de RCA-purigado, ozona purigado kaj megasona purigado - por certigi atomnivelan purecon por vaflatfabrikado, signife plibonigante la rendimenton kaj produktadan efikecon de la klientoj. Utiligante lokajn rapidrespondajn teamojn kaj inteligentajn servajn retojn, ni provizas ampleksan subtenon, kiu varias de ekipaĵinstalaĵo kaj procezoptimigo ĝis prognoza bontenado, rajtigante klientojn superi teknikajn defiojn kaj progresi al pli alta precizeco kaj daŭrigebla duonkonduktaĵa disvolviĝo. Elektu nin por duobla-gajna sinergio de teknika kompetenteco kaj komerca valoro.
Afiŝtempo: 2-a de septembro 2025