Nuntempe, nia kompanio povas daŭre provizi malgrandan aron de 8inchN-tipo SiC-oblatoj, se vi havas specimenajn bezonojn, bonvolu kontakti min. Ni havas kelkajn specimenajn oblatojn pretajn por ekspedi.
En la kampo de semikonduktaĵoj, la kompanio faris gravan sukceson en la esplorado kaj disvolviĝo de grandgrandaj SiC-kristaloj. Uzante siajn proprajn semajn kristalojn post multoblaj rondoj de diametra pligrandigo, la kompanio sukcese kreskigis 8-colajn N-tipan SiC-kristalojn, kiuj solvas malfacilajn problemojn kiel neegala temperatura kampo, kristala krakado kaj gasfaza distribuo de krudmaterialoj en la kreska procezo de 8-colaj SIC-kristaloj, kaj akcelas la kreskon de grandgrandaj SIC-kristaloj kaj la aŭtonoman kaj kontroleblan prilaboradon. teknologio. Tre plibonigu la kernan konkurencivon de la kompanio en la industrio de SiC-unukristala substrato. Samtempe, la kompanio aktive antaŭenigas la amasiĝon de teknologio kaj procezo de grandgranda siliciokarbura substrata preparado de eksperimenta linio, plifortigas la teknikan interŝanĝon kaj industrian kunlaboron en kontraŭfluaj kaj laŭfluaj kampoj, kaj kunlaboras kun klientoj por konstante ripeti produktan rendimenton, kaj kune antaŭenigas la ritmon de industria apliko de siliciokarburaj materialoj.
| Specifoj de SiC DSP de 8 coloj | |||||
| Numero | Ero | Unuo | Produktado | Esplorado | Dummy |
| 1. Parametroj | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | surfaca orientiĝo | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektra parametro | |||||
| 2.1 | dopanto | -- | n-tipa Nitrogeno | n-tipa Nitrogeno | n-tipa Nitrogeno |
| 2.2 | resistiveco | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. Mekanika parametro | |||||
| 3.1 | diametro | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | dikeco | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Noĉa orientiĝo | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Notch Profundo | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Pafarko | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Varpi | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Strukturo | |||||
| 4.1 | mikropipa denseco | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metala enhavo | atomoj/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Pozitiva kvalito | |||||
| 5.1 | fronto | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | surfaca finaĵo | -- | Si-vizaĝo CMP | Si-vizaĝo CMP | Si-vizaĝo CMP |
| 5.3 | partiklo | ea/oblato | ≤100 (grandeco≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | grati | ea/oblato | ≤5, Tuta Longo≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Rando blatoj/indentaĵoj/fendoj/makuloj/poluado | -- | Neniu | Neniu | NA |
| 5.6 | Politipaj areoj | -- | Neniu | Areo ≤10% | Areo ≤30% |
| 5.7 | antaŭa markado | -- | Neniu | Neniu | Neniu |
| 6. Malantaŭa kvalito | |||||
| 6.1 | malantaŭa fini | -- | C-vizaĝo MP | C-vizaĝo MP | C-vizaĝo MP |
| 6.2 | grati | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Malantaŭaj difektoj rando blatoj/indentaĵoj | -- | Neniu | Neniu | NA |
| 6.4 | Dorsa malglateco | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Malantaŭa markado | -- | Noĉo | Noĉo | Noĉo |
| 7. Rando | |||||
| 7.1 | rando | -- | Chanfro | Chanfro | Chanfro |
| 8. Pako | |||||
| 8.1 | pakado | -- | Epi-preta kun vakuo pakado | Epi-preta kun vakuo pakado | Epi-preta kun vakuo pakado |
| 8.2 | pakado | -- | Multoblato kaseda pakado | Multoblato kaseda pakado | Multoblato kaseda pakado |
Afiŝtempo: Apr-18-2023