Nuntempe, nia kompanio povas daŭre liveri malgrandajn kvantojn de 8-colaj N-tipaj SiC-blatoj. Se vi bezonas specimenojn, bonvolu kontakti min. Ni havas kelkajn specimenajn blatojn pretajn por sendo.
En la kampo de duonkonduktaĵaj materialoj, la kompanio faris gravan sukceson en la esplorado kaj disvolviĝo de grand-grandaj SiC-kristaloj. Uzante siajn proprajn semkristalojn post pluraj rondoj de diametropligrandigo, la kompanio sukcese kreskigis 8-colajn N-tipajn SiC-kristalojn, kio solvas malfacilajn problemojn kiel malebena temperaturkampo, kristala fendado kaj gasfaza krudmateriala distribuado en la kreskoprocezo de 8-colaj SIC-kristaloj, kaj akcelas la kreskon de grand-grandaj SIC-kristaloj kaj la aŭtonoman kaj kontroleblan prilaboran teknologion. Multe plibonigas la kernan konkurencivon de la kompanio en la industrio de SiC-unukristalaj substratoj. Samtempe, la kompanio aktive antaŭenigas la akumuladon de teknologio kaj procezo de eksperimenta linio por prepari grand-grandajn siliciokardajn substratojn, plifortigas la teknikan interŝanĝon kaj industrian kunlaboron en la suprenfluaj kaj malsuprenfluaj kampoj, kaj kunlaboras kun klientoj por konstante iteracii la produktan rendimenton, kaj komune antaŭenigas la rapidecon de industria apliko de siliciokardaj materialoj.
| 8-cola N-tipa SiC DSP-Specifoj | |||||
| Nombro | Ero | Unuo | Produktado | Esplorado | Imitaĵo |
| 1. Parametroj | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | surfaco-orientiĝo | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Elektra parametro | |||||
| 2.1 | dopanto | -- | n-tipa nitrogeno | n-tipa nitrogeno | n-tipa nitrogeno |
| 2.2 | rezisteco | omo ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mekanika parametro | |||||
| 3.1 | diametro | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | dikeco | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Noĉorientiĝo | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Noĉa Profundo | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arko | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Varpo | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Strukturo | |||||
| 4.1 | mikropipa denseco | ĉiu/cm² | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metala enhavo | atomoj/cm² | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ĉiu/cm² | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ĉiu/cm² | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ĉiu/cm² | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Pozitiva kvalito | |||||
| 5.1 | fronto | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | surfaco finpoluro | -- | Si-vizaĝa CMP | Si-vizaĝa CMP | Si-vizaĝa CMP |
| 5.3 | partiklo | ĉiu/oblato | ≤100 (grandeco ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | gratvundo | ĉiu/oblato | ≤5, Totala Longo ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Rando ĉipoj/indentoj/fendetoj/makuloj/poluado | -- | Neniu | Neniu | NA |
| 5.6 | Politipaj areoj | -- | Neniu | Areo ≤10% | Areo ≤30% |
| 5.7 | antaŭa markado | -- | Neniu | Neniu | Neniu |
| 6. Kvalito de la dorso | |||||
| 6.1 | malantaŭa finpoluro | -- | C-vizaĝa parlamentano | C-vizaĝa parlamentano | C-vizaĝa parlamentano |
| 6.2 | gratvundo | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Malantaŭa difektoj rando ĉipoj/indentoj | -- | Neniu | Neniu | NA |
| 6.4 | Malglateco de la dorso | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Malantaŭa markado | -- | Noĉo | Noĉo | Noĉo |
| 7. Rando | |||||
| 7.1 | rando | -- | Bevelaĵo | Bevelaĵo | Bevelaĵo |
| 8. Pakaĵo | |||||
| 8.1 | pakaĵo | -- | Epi-preta kun vakuo pakaĵo | Epi-preta kun vakuo pakaĵo | Epi-preta kun vakuo pakaĵo |
| 8.2 | pakaĵo | -- | Mult-oblato kaseda enpakado | Mult-oblato kaseda enpakado | Mult-oblato kaseda enpakado |
Afiŝtempo: 18-a de aprilo 2023